Зображення обкладинки

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии

The design and fabrication technology of Gunn diodes for use in EHF therapy are described. The operating frequency is 42 GHz, with an output power of over 1 mW at an operating current of less than 120 mA. The diodes are fabricated from n–n+ type GaAs epitaxial structures. The n-layer thickness is 2....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Ivanov, V. N., Kovtonjuk, V. M., Raevskaya, N. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Теми:	КВЧ-терапия диод Ганна арсенид галлия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2004)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Конструктивно-технологические особенности автодинных ГИС КВЧ на диодах Ганна
за авторством: Votoropin, S. D.
Опубліковано: (2006)

Сверхлегкие генераторные модули для КВЧ-терапии
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2006)

Использование электромагнитного излучения в медицине и требования к построению КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Полупроводниковый генераторный модуль с умножением частоты для аппаратуры КВЧ-терапии
за авторством: Perfiljev, V. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Перспективы украинско-польского сотрудничества в развитии энергоинформационных медицинских технологий
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2008)

Разработка технологии изготовления двухстенчатой сварной конструкции преобразуемого объема
за авторством: Лобанов, Л.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Сверхлегкие генераторные модули для КВЧ-терапии
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2006)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Технологические средства изготовления микрополосковых линий для ГИС КВЧ-диапазона
за авторством: Кренделев, А.Е.
Опубліковано: (2002)

Теоретична модель для ефекту негативної диференціальної провідності у 2D напівпровідникових моношарах
за авторством: Lytovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Разработка конструкции и технологии изготовления глушителей из титановых сплавов для стрелкового оружия
за авторством: Коновалов, Н.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Полупроводниковый генераторный модуль с умножением частоты для аппаратуры КВЧ-терапии
за авторством: Перфильев, В.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)