Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах

The results of experimental studies of a gallium arsenide diode in the temperature range of 78–300 K are presented. It is proposed that, when designing equipment, the operational stability of semiconductor sensors in the low-temperature range be preliminarily assessed based on an analysis of generat...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2004
1. Verfasser: Golovko, A. G.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.10
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
_version_ 1865485930150756352
author Golovko, A. G.
author_facet Golovko, A. G.
author_sort Golovko, A. G.
baseUrl_str https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai
collection OJS
datestamp_date 2026-05-17T18:48:17Z
description The results of experimental studies of a gallium arsenide diode in the temperature range of 78–300 K are presented. It is proposed that, when designing equipment, the operational stability of semiconductor sensors in the low-temperature range be preliminarily assessed based on an analysis of generation-recombination processes and Frenkel ionization of impurities.
first_indexed 2026-05-18T01:00:19Z
format Article
id oai:tkea.com.ua:article-1170
institution Technology and design in electronic equipment
keywords_txt_mv keywords
language Ukrainian
last_indexed 2026-05-18T01:00:19Z
publishDate 2004
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-11702026-05-17T18:48:17Z Changes in low-frequency noise in p-n junctions at low temperatures Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах Golovko, A. G. low-frequency noise p-n junctions low temperatures низкочастотные шумы р-n-переходы низкие температуры The results of experimental studies of a gallium arsenide diode in the temperature range of 78–300 K are presented. It is proposed that, when designing equipment, the operational stability of semiconductor sensors in the low-temperature range be preliminarily assessed based on an analysis of generation-recombination processes and Frenkel ionization of impurities. Приведены результаты экспериментальных исследований диода на основе арсенида галлия в температурном диапазоне 78–300 К. Предлагается при разработке аппаратуры предварительно оценивать стабильность работы полупроводниковых датчиков в диапазоне пониженных температур на основе анализа генерационно-рекомбинационных процесов и френкелевской ионизации примесей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.10 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 10-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.10/1070 Copyright (c) 2004 Golovko A. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
spellingShingle низкочастотные шумы
р-n-переходы
низкие температуры
Golovko, A. G.
Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title_alt Changes in low-frequency noise in p-n junctions at low temperatures
title_full Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title_fullStr Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title_full_unstemmed Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title_short Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
title_sort изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
topic низкочастотные шумы
р-n-переходы
низкие температуры
topic_facet low-frequency noise
p-n junctions
low temperatures
низкочастотные шумы
р-n-переходы
низкие температуры
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.10
work_keys_str_mv AT golovkoag changesinlowfrequencynoiseinpnjunctionsatlowtemperatures
AT golovkoag izmeneniânizkočastotnyhšumovvrnperehodahprinizkihtemperaturah