Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред
Studies were carried out on the strain and pressure sensitivity of layered low-dimensional А3В6-type single crystals. The baric sensitivity coefficient for indium selenide (InSe) single crystals is 10−8−10−7 Pa−1, and the strain sensitivity is 103−104. The possibility of using such sens...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.57 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865485932222742528 |
|---|---|
| author | Zaichenko, L. M. Serediuk, A. I. Fotiy, V. D. Shevchuk, Yu. F. |
| author_facet | Zaichenko, L. M. Serediuk, A. I. Fotiy, V. D. Shevchuk, Yu. F. |
| author_sort | Zaichenko, L. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-17T18:48:17Z |
| description | Studies were carried out on the strain and pressure sensitivity of layered low-dimensional А3В6-type single crystals. The baric sensitivity coefficient for indium selenide (InSe) single crystals is 10−8−10−7 Pa−1, and the strain sensitivity is 103−104. The possibility of using such sensors for non-destructive monitoring of setting, strength development, and solvent crystallization processes in binding media is demonstrated, including for monitoring the condition of products cast in various compounds. |
| first_indexed | 2026-05-18T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1182 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-18T01:00:21Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11822026-05-17T18:48:17Z Sensor for monitoring processes of formation and strength development in binding media Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред Zaichenko, L. M. Serediuk, A. I. Fotiy, V. D. Shevchuk, Yu. F. semiconductor sensor binding medium cement stone compounds полупроводниковый сенсор вяжущая среда цементный камень компаунды Studies were carried out on the strain and pressure sensitivity of layered low-dimensional А3В6-type single crystals. The baric sensitivity coefficient for indium selenide (InSe) single crystals is 10−8−10−7 Pa−1, and the strain sensitivity is 103−104. The possibility of using such sensors for non-destructive monitoring of setting, strength development, and solvent crystallization processes in binding media is demonstrated, including for monitoring the condition of products cast in various compounds. Проведены исследования тензо- и барической чувствительности слоистых низкоразмерных монокристаллов типа А3В6. Коэффициент барической чувствительности для монокристаллов селенида индия InSe составляет 10–8 – 10–7 Па–1, тензочувствительности — 103 – 104. Показана возможность применения таких сенсоров для неразрушающего контроля процессов схватывания, набора прочности и кристаллизации растворителя вяжущих сред, в том числе для контроля состояния изделий, залитых в различные компаунды. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.57 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 57-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 57-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.57/1081 Copyright (c) 2004 Zaichenko L. M., Serediuk A. I., Fotiy V. D., Shevchuk Yu. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полупроводниковый сенсор вяжущая среда цементный камень компаунды Zaichenko, L. M. Serediuk, A. I. Fotiy, V. D. Shevchuk, Yu. F. Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title | Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title_alt | Sensor for monitoring processes of formation and strength development in binding media |
| title_full | Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title_fullStr | Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title_full_unstemmed | Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title_short | Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| title_sort | сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред |
| topic | полупроводниковый сенсор вяжущая среда цементный камень компаунды |
| topic_facet | semiconductor sensor binding medium cement stone compounds полупроводниковый сенсор вяжущая среда цементный камень компаунды |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.57 |
| work_keys_str_mv | AT zaichenkolm sensorformonitoringprocessesofformationandstrengthdevelopmentinbindingmedia AT serediukai sensorformonitoringprocessesofformationandstrengthdevelopmentinbindingmedia AT fotiyvd sensorformonitoringprocessesofformationandstrengthdevelopmentinbindingmedia AT shevchukyuf sensorformonitoringprocessesofformationandstrengthdevelopmentinbindingmedia AT zaichenkolm sensordlâkontrolâprocessovformirovaniâinaborapročnostivâžuŝihsred AT serediukai sensordlâkontrolâprocessovformirovaniâinaborapročnostivâžuŝihsred AT fotiyvd sensordlâkontrolâprocessovformirovaniâinaborapročnostivâžuŝihsred AT shevchukyuf sensordlâkontrolâprocessovformirovaniâinaborapročnostivâžuŝihsred |