Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si
By studying current-voltage characteristics and non-stationary transient processes, the mechanisms of switching and memory effects in Al–SiO2–Si structures have been clarified, as well as the possibility of their practical application in the creation of stable and controllable memory elements.
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865485932254199808 |
|---|---|
| author | Iskender-zade, Z. A. Akhundov, M. R. Jafarova, E. A. Alikhanova, Sh. A. |
| author_facet | Iskender-zade, Z. A. Akhundov, M. R. Jafarova, E. A. Alikhanova, Sh. A. |
| author_sort | Iskender-zade, Z. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-17T18:48:17Z |
| description | By studying current-voltage characteristics and non-stationary transient processes, the mechanisms of switching and memory effects in Al–SiO2–Si structures have been clarified, as well as the possibility of their practical application in the creation of stable and controllable memory elements. |
| first_indexed | 2026-05-18T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1183 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-18T01:00:21Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11832026-05-17T18:48:17Z Switching and memory effects in Al–SiO2–Si MOS structures Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si Iskender-zade, Z. A. Akhundov, M. R. Jafarova, E. A. Alikhanova, Sh. A. MOS structure switching memory element threshold voltage delay time deep traps МОП-структура переключение элемент памяти пороговое напряжение время задержки глубокие ловушки By studying current-voltage characteristics and non-stationary transient processes, the mechanisms of switching and memory effects in Al–SiO2–Si structures have been clarified, as well as the possibility of their practical application in the creation of stable and controllable memory elements. Исследованием вольт-амперных характеристик и нестационарных переходных процессов выяснены механизмы эффектов переключения и памяти в Al–SiO2–Si-структурах, возможность их практического применения в создании стабильных и управляемых элементов памяти. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 59-61 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 59-61 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59/1082 Copyright (c) 2004 Iskender-zade Z. A., Akhundov M. R., Jafarova E. A., Alikhanova Sh. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | МОП-структура переключение элемент памяти пороговое напряжение время задержки глубокие ловушки Iskender-zade, Z. A. Akhundov, M. R. Jafarova, E. A. Alikhanova, Sh. A. Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title | Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title_alt | Switching and memory effects in Al–SiO2–Si MOS structures |
| title_full | Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title_fullStr | Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title_full_unstemmed | Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title_short | Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si |
| title_sort | эффекты переключения и памяти в моп-структурах al–sio2–si |
| topic | МОП-структура переключение элемент памяти пороговое напряжение время задержки глубокие ловушки |
| topic_facet | MOS structure switching memory element threshold voltage delay time deep traps МОП-структура переключение элемент памяти пороговое напряжение время задержки глубокие ловушки |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59 |
| work_keys_str_mv | AT iskenderzadeza switchingandmemoryeffectsinalsio2simosstructures AT akhundovmr switchingandmemoryeffectsinalsio2simosstructures AT jafarovaea switchingandmemoryeffectsinalsio2simosstructures AT alikhanovasha switchingandmemoryeffectsinalsio2simosstructures AT iskenderzadeza éffektypereklûčeniâipamâtivmopstrukturahalsio2si AT akhundovmr éffektypereklûčeniâipamâtivmopstrukturahalsio2si AT jafarovaea éffektypereklûčeniâipamâtivmopstrukturahalsio2si AT alikhanovasha éffektypereklûčeniâipamâtivmopstrukturahalsio2si |