Зображення обкладинки

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al–SiO2–Si

By studying current-voltage characteristics and non-stationary transient processes, the mechanisms of switching and memory effects in Al–SiO2–Si structures have been clarified, as well as the possibility of their practical application in the creation of stable and controllable memory elements.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Iskender-zade, Z. A., Akhundov, M. R., Jafarova, E. A., Alikhanova, Sh. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Теми:	МОП-структура переключение элемент памяти пороговое напряжение время задержки глубокие ловушки
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.59
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
за авторством: Искендер-заде, З.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Perevertaylo, V. L.
Опубліковано: (2010)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)

Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах
за авторством: Politanskyy, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Baranov, V. V.
Опубліковано: (2005)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
за авторством: Bar’yakhtar, V. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Пассивный датчик на поверхностных акустических волнах для дистанционного контроля параметров
за авторством: Karapetyan, G. Ya., та інші
Опубліковано: (2006)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Гальваномагнитные микродатчики положения на базе германиевого микропровода
за авторством: Aleinikov, E. A., та інші
Опубліковано: (2006)

Многоуровневая оптическая память на микро- и наноразмерных структурах
за авторством: Demyohin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)

Линии задержки в J-корреляционном методе пеленгации
за авторством: Sorochan, A. G.
Опубліковано: (2004)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Гуляев, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)

УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Boiko, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
за авторством: Karapetyan, G. Ya., та інші
Опубліковано: (2008)

Эффекты близости в структурах многозонный сверхпроводник–ферромагнитный металл
за авторством: Кошина, Е.А., та інші
Опубліковано: (2017)

СТРУКТУРНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ДВУХКОНТУРНЫХ КОРРЕКТОРОВ КОЭФФИЦИЕНТА МОЩНОСТИ НА ОСНОВЕ КВАЗИРЕЗОНАНСНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫХ ПРИ НУЛЕВОМ ТОКЕ
за авторством: Денисов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Экспериментальное доказательство экситонно-плазменного фазового перехода Мотта
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2010)

Локальные переключения состояния в неоднородных ВТСП материалах
за авторством: Кулик, И.И., та інші
Опубліковано: (1995)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2010)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2013)

РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ВЫХОДНОГО LС-ФИЛЬТРА ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2012)

РЕГУЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИСТОЧНИКОВ ИМПУЛЬСНОГО И ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ПИТАНИИ ЭЛЕКТРОФИЛЬТРОВ
за авторством: Диордийчук, В.В.
Опубліковано: (2014)

Основні етапи історичного розвитку МОП
за авторством: Мельник, Н.С.
Опубліковано: (2010)