Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.5-6.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)
Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kondrik, Оleksandr, та інші
Опубліковано: (2023)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Dielectric inhomogeneities in CdZnTe crystals
за авторством: Gerasimenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gerasimenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
Photostimulated passivation of spectrometric CdZnTe detectors
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование радиационной стойкости детекторов ионизирующих излучений на основе CdTe и CdZnTe
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
Перспективы использования полупроводниковых материалов из CdTe (CdZnTe) при реконструкции АЭС Украины
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Грибанов, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
за авторством: Леонов, С.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Леонов, С.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. H. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: I. G. Orletskyi, та інші
Опубліковано: (2019)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baidullaeva, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Колімований гамма-спектрометр на основі CdZnTe-детектора
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Батій, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Experimental model of multidetector device based on CdZnTe detectors
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Batiy, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Приборы на основе CdTe и CdZnTe для технологического контроля и мониторинга радиационной обстановки на АЭС
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ажажа, В.М., та інші
Опубліковано: (2006)
Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Conductivity type conversion in p-CdZnTe under pulsed laser irradiation
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации гамма-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2004)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)