Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe

• Date: 2019
• Main Authors: Kondrik, Alexander, Kovtun, Gennadiy
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019
• Subjects: CdZnTe; детектори; комп’ютерне моделювання; глибокі рівні; збір зарядів
• Online Access: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.5-6.43
• Journal Title: Technology and design in electronic equipment

Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how...