Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe

• Datum: 2019
• Hauptverfasser: Kondrik, Alexander, Kovtun, Gennadiy
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019
• Schlagworte: CdZnTe; детектори; комп’ютерне моделювання; глибокі рівні; збір зарядів
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.5-6.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Solid-state ionizing radiation detectors based on high-resistance semiconductors can be used to monitor the safety of nuclear reactors. High-resistance CdTe and CdZnTe have very good electrophysical and detector properties. The objective of this study was to use computer simulation to determine how...