Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

• Дата: 2003
• Автори: Kondrik, A. I., Kovtun, G. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Теми: CdZnTe-детектори; іонізуюче випромінювання; дрейфова рухливість електронів; питомий опір; комп’ютерне моделювання; ширина забороненої зони
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Using computer modeling, the drift mobility of conduction electrons (µ) and the specific resistivity (ρ) of CdZnTe detector material were investigated as functions of impurity composition and the molar fraction of CdTe (CCdTe ) at a temperature of T = 300 K. It was established that an increase in th...