Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
The features of GaSb/InAs heterostructure growth from the liquid phase are considered. A modified method of pulsed cooling of the solution–melt is proposed, which makes it possible to avoid dissolution of the InAs substrate when in contact with the nonequilibrium Ga+Sb liquid phase. It is shown th...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123626377216 |
|---|---|
| author | Maronchuk, I. E. Kurak, V. V. Andronova, E. V. Baganov, E. A. |
| author_facet | Maronchuk, I. E. Kurak, V. V. Andronova, E. V. Baganov, E. A. |
| author_sort | Maronchuk, I. E. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description |
The features of GaSb/InAs heterostructure growth from the liquid phase are considered. A modified method of pulsed cooling of the solution–melt is proposed, which makes it possible to avoid dissolution of the InAs substrate when in contact with the nonequilibrium Ga+Sb liquid phase. It is shown that in the absence of substrate dissolution by the solution–melt, the formation of InGaAsSb solid solutions during the growth of the GaSb epitaxial layer does not occur, since solid-phase dissolution of GaSb by the InAs substrate is energetically unfavorable.
|
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1203 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12032026-05-19T20:36:22Z Growth of GaSb/InAs heterostructures by liquid phase epitaxy without substrate dissolution Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки Maronchuk, I. E. Kurak, V. V. Andronova, E. V. Baganov, E. A. liquid phase epitaxy dissolution GaSb InAs mechanical stress жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение The features of GaSb/InAs heterostructure growth from the liquid phase are considered. A modified method of pulsed cooling of the solution–melt is proposed, which makes it possible to avoid dissolution of the InAs substrate when in contact with the nonequilibrium Ga+Sb liquid phase. It is shown that in the absence of substrate dissolution by the solution–melt, the formation of InGaAsSb solid solutions during the growth of the GaSb epitaxial layer does not occur, since solid-phase dissolution of GaSb by the InAs substrate is energetically unfavorable. Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 6-9 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 6-9 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06/1102 Copyright (c) 2003 Maronchuk I. E., Kurak V. V., Andronova E. V., Baganov E. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение Maronchuk, I. E. Kurak, V. V. Andronova, E. V. Baganov, E. A. Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_alt | Growth of GaSb/InAs heterostructures by liquid phase epitaxy without substrate dissolution |
| title_full | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_fullStr | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_full_unstemmed | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_short | Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| title_sort | выращивание гетероструктур gasb/inas жидкофазной эпитаксией без растворения подложки |
| topic | жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение |
| topic_facet | liquid phase epitaxy dissolution GaSb InAs mechanical stress жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06 |
| work_keys_str_mv | AT maronchukie growthofgasbinasheterostructuresbyliquidphaseepitaxywithoutsubstratedissolution AT kurakvv growthofgasbinasheterostructuresbyliquidphaseepitaxywithoutsubstratedissolution AT andronovaev growthofgasbinasheterostructuresbyliquidphaseepitaxywithoutsubstratedissolution AT baganovea growthofgasbinasheterostructuresbyliquidphaseepitaxywithoutsubstratedissolution AT maronchukie vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT kurakvv vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT andronovaev vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki AT baganovea vyraŝivaniegeterostrukturgasbinasžidkofaznojépitaksiejbezrastvoreniâpodložki |