Buchumschlag

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

The features of GaSb/InAs heterostructure growth from the liquid phase are considered. A modified method of pulsed cooling of the solution–melt is proposed, which makes it possible to avoid dissolution of the InAs substrate when in contact with the nonequilibrium Ga+Sb liquid phase. It is shown th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Електропровідність поверхні плівок SnO2:Sb, модифікованої Pd і Pt
von: Panov, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Выращивание тугоплавких металлических монокристаллов (Обзор)
von: Шаповалов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

GaSb whiskers in sensor electronics
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Механизм аномального растворения сталей
von: Джелали, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

OPTIMIZATION OF ROW PLACEMENT OF SOLAR ENERGY COLLECTORS FOR THE CLIMATIC CONDITIONS OF THE SOUTH OF UKRAINE
von: Andronova, O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

InAs photodiodes (review)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2015)

InAs фотодіоди (огляд)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Выращивание вискеров кремния методом пар-жидкость-кристалл
von: Горбик, П.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Двухстадийное выращивание монокристаллов алмаза с применением термоциклирования
von: Шевчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
von: Цуркин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Panfilov, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
von: Левченко, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
von: Martin, P.M., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
von: Завьялов, С.В.
Veröffentlicht: (2000)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)