Зображення обкладинки

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки

The features of GaSb/InAs heterostructure growth from the liquid phase are considered. A modified method of pulsed cooling of the solution–melt is proposed, which makes it possible to avoid dissolution of the InAs substrate when in contact with the nonequilibrium Ga+Sb liquid phase. It is shown th...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Maronchuk, I. E., Kurak, V. V., Andronova, E. V., Baganov, E. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:	жидкофазная эпитаксия растворение GaSb InAs механическое напряжение
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.06
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Електропровідність поверхні плівок SnO2:Sb, модифікованої Pd і Pt
за авторством: Panov, E. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Выращивание тугоплавких металлических монокристаллов (Обзор)
за авторством: Шаповалов, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Механизм аномального растворения сталей
за авторством: Джелали, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

OPTIMIZATION OF ROW PLACEMENT OF SOLAR ENERGY COLLECTORS FOR THE CLIMATIC CONDITIONS OF THE SOUTH OF UKRAINE
за авторством: Andronova, O., та інші
Опубліковано: (2020)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)

Выращивание вискеров кремния методом пар-жидкость-кристалл
за авторством: Горбик, П.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)

Двухстадийное выращивание монокристаллов алмаза с применением термоциклирования
за авторством: Шевчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
за авторством: Цуркин, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Panfilov, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
за авторством: Martin, P.M., та інші
Опубліковано: (1998)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
за авторством: Завьялов, С.В.
Опубліковано: (2000)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)