Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Samples of p-type polysilicon on dielectric substrates were investigated in the temperature range of 4.2–300 K and magnetic fields up to 14 T, as well as the effect of mechanical strain on their resistance. It was shown that lightly doped, non-recrystallized poly-Si resistors (2.4·1018 cm–3) can be...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123559268352 |
|---|---|
| author | Druzhinin, A. A. Maryamova, I. I. Matvienko, S. N. Khoverko, Yu. N. |
| author_facet | Druzhinin, A. A. Maryamova, I. I. Matvienko, S. N. Khoverko, Yu. N. |
| author_sort | Druzhinin, A. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | Samples of p-type polysilicon on dielectric substrates were investigated in the temperature range of 4.2–300 K and magnetic fields up to 14 T, as well as the effect of mechanical strain on their resistance. It was shown that lightly doped, non-recrystallized poly-Si resistors (2.4·1018 cm–3) can be recommended as highly sensitive thermoresistors. For piezoresistive sensors of mechanical quantities, heavily doped, laser-recrystallized poly-Si resistors (~1.7·1020 cm–3) are recommended. These resistors also demonstrate the highest stability under strong magnetic fields. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1204 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12042026-05-19T20:36:22Z Study of polysilicon-on-insulator layers at cryogenic temperatures for sensor applications Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров Druzhinin, A. A. Maryamova, I. I. Matvienko, S. N. Khoverko, Yu. N. polysilicon-on-insulator laser recrystallization sensor cryogenic temperatures magnetic fields поликремний на изоляторе лазерная рекристаллизация сенсор криогенные температуры магнитные поля Samples of p-type polysilicon on dielectric substrates were investigated in the temperature range of 4.2–300 K and magnetic fields up to 14 T, as well as the effect of mechanical strain on their resistance. It was shown that lightly doped, non-recrystallized poly-Si resistors (2.4·1018 cm–3) can be recommended as highly sensitive thermoresistors. For piezoresistive sensors of mechanical quantities, heavily doped, laser-recrystallized poly-Si resistors (~1.7·1020 cm–3) are recommended. These resistors also demonstrate the highest stability under strong magnetic fields. Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·1018 см–3) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·1020 см–3). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 10-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 10-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10/1103 Copyright (c) 2003 Druzhinin A. A., Maryamova I. I., Matvienko S. N., Khoverko Yu. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | поликремний на изоляторе лазерная рекристаллизация сенсор криогенные температуры магнитные поля Druzhinin, A. A. Maryamova, I. I. Matvienko, S. N. Khoverko, Yu. N. Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_alt | Study of polysilicon-on-insulator layers at cryogenic temperatures for sensor applications |
| title_full | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_fullStr | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_full_unstemmed | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_short | Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| title_sort | исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров |
| topic | поликремний на изоляторе лазерная рекристаллизация сенсор криогенные температуры магнитные поля |
| topic_facet | polysilicon-on-insulator laser recrystallization sensor cryogenic temperatures magnetic fields поликремний на изоляторе лазерная рекристаллизация сенсор криогенные температуры магнитные поля |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10 |
| work_keys_str_mv | AT druzhininaa studyofpolysilicononinsulatorlayersatcryogenictemperaturesforsensorapplications AT maryamovaii studyofpolysilicononinsulatorlayersatcryogenictemperaturesforsensorapplications AT matvienkosn studyofpolysilicononinsulatorlayersatcryogenictemperaturesforsensorapplications AT khoverkoyun studyofpolysilicononinsulatorlayersatcryogenictemperaturesforsensorapplications AT druzhininaa issledovaniesvojstvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT maryamovaii issledovaniesvojstvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT matvienkosn issledovaniesvojstvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov AT khoverkoyun issledovaniesvojstvsloevpolikremniânaizolâtoreprikriogennyhtemperaturahdlâsozdaniâsensorov |