Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Samples of p-type polysilicon on dielectric substrates were investigated in the temperature range of 4.2–300 K and magnetic fields up to 14 T, as well as the effect of mechanical strain on their resistance. It was shown that lightly doped, non-recrystallized poly-Si resistors (2.4·1018 cm–3) can be...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.10 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |