Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
The paper considers issues of modeling high electron mobility transistors (HEMT). The requirements for HEMT models are outlined. The most common types of models are described: small-signal, noise, nonlinear, and distributed. An algorithm for extracting parameters of the small-signal model is present...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.20 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123536199680 |
|---|---|
| author | Emtsev, P. A. |
| author_facet | Emtsev, P. A. |
| author_sort | Emtsev, P. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | The paper considers issues of modeling high electron mobility transistors (HEMT). The requirements for HEMT models are outlined. The most common types of models are described: small-signal, noise, nonlinear, and distributed. An algorithm for extracting parameters of the small-signal model is presented. References are provided to sources describing parameter extraction algorithms for noise and nonlinear models. Recommendations are given on choosing a transistor model for designing specific devices. The task of developing a universal model and introducing corresponding changes into software is formulated. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1207 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12072026-05-19T20:36:22Z Modeling of high electron mobility transistors Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов Emtsev, P. A. high electron mobility transistor transistor modeling CAD microwave транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование транзисторов САПР СВЧ The paper considers issues of modeling high electron mobility transistors (HEMT). The requirements for HEMT models are outlined. The most common types of models are described: small-signal, noise, nonlinear, and distributed. An algorithm for extracting parameters of the small-signal model is presented. References are provided to sources describing parameter extraction algorithms for noise and nonlinear models. Recommendations are given on choosing a transistor model for designing specific devices. The task of developing a universal model and introducing corresponding changes into software is formulated. Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.20 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 20-26 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 20-26 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.20/1106 Copyright (c) 2003 Emtsev P. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование транзисторов САПР СВЧ Emtsev, P. A. Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_alt | Modeling of high electron mobility transistors |
| title_full | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_fullStr | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_full_unstemmed | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_short | Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| title_sort | моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| topic | транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование транзисторов САПР СВЧ |
| topic_facet | high electron mobility transistor transistor modeling CAD microwave транзистор с высокой подвижностью электронов моделирование транзисторов САПР СВЧ |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.20 |
| work_keys_str_mv | AT emtsevpa modelingofhighelectronmobilitytransistors AT emtsevpa modelirovanietranzistorovsvysokojpodvižnostʹûélektronov |