Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
The paper considers issues of modeling high electron mobility transistors (HEMT). The requirements for HEMT models are outlined. The most common types of models are described: small-signal, noise, nonlinear, and distributed. An algorithm for extracting parameters of the small-signal model is present...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.20 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |