СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
The paper presents the results of optimization of the design and fabrication technology of microwave field-effect transistors of medium power with an operating frequency in the range of 18–36 GHz on GaAs epitaxial structures. The output power of the transistors is about 100 mW at 1 dB compression, t...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123601211392 |
|---|---|
| author | Ivashchuk, A. V. Bosy, V. I. Kovalchuk, V. N. |
| author_facet | Ivashchuk, A. V. Bosy, V. I. Kovalchuk, V. N. |
| author_sort | Ivashchuk, A. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | The paper presents the results of optimization of the design and fabrication technology of microwave field-effect transistors of medium power with an operating frequency in the range of 18–36 GHz on GaAs epitaxial structures. The output power of the transistors is about 100 mW at 1 dB compression, the noise figure does not exceed 3.0 dB, and the power gain is at least 4 and 7 dB at frequencies of 36 and 18 GHz, respectively. The design of measuring devices and the methodology for studying these parameters in the short centimeter and millimeter wavelength ranges are described. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1208 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12082026-05-19T20:36:22Z Microwave field-effect transistors of medium power in the millimeter wavelength range СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн Ivashchuk, A. V. Bosy, V. I. Kovalchuk, V. N. microwave field-effect transistors medium power millimeter range GaAs noise figure СВЧ полевые транзисторы средняя мощность миллиметровый диапазон GaAs коэффициент шума The paper presents the results of optimization of the design and fabrication technology of microwave field-effect transistors of medium power with an operating frequency in the range of 18–36 GHz on GaAs epitaxial structures. The output power of the transistors is about 100 mW at 1 dB compression, the noise figure does not exceed 3.0 dB, and the power gain is at least 4 and 7 dB at frequencies of 36 and 18 GHz, respectively. The design of measuring devices and the methodology for studying these parameters in the short centimeter and millimeter wavelength ranges are described. Приведены результаты оптимизации конструкции и технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов средней мощности с рабочей частотой в диапазоне 18–36 ГГц на эпитаксиальных структурах GaAs. Выходная мощность транзисторов около 100 мВт на 1 дБ компрессии, коэффициент шума не более 3,0 дБ, коэффициент усиления по мощности при этом не менее 4 и 7 дБ на частотах 36 и 18 ГГц, соответственно. Описана конструкция измерительных устройств и методика исследования этих параметров в короткой части сантиметрового и в миллиметровом диапазоне длин волн. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.27 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 27-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.27/1107 Copyright (c) 2003 Ivashchuk A. V., Bosy V. I., Kovalchuk V. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | СВЧ полевые транзисторы средняя мощность миллиметровый диапазон GaAs коэффициент шума Ivashchuk, A. V. Bosy, V. I. Kovalchuk, V. N. СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title_alt | Microwave field-effect transistors of medium power in the millimeter wavelength range |
| title_full | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title_fullStr | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title_full_unstemmed | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title_short | СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| title_sort | свч полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн |
| topic | СВЧ полевые транзисторы средняя мощность миллиметровый диапазон GaAs коэффициент шума |
| topic_facet | microwave field-effect transistors medium power millimeter range GaAs noise figure СВЧ полевые транзисторы средняя мощность миллиметровый диапазон GaAs коэффициент шума |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.27 |
| work_keys_str_mv | AT ivashchukav microwavefieldeffecttransistorsofmediumpowerinthemillimeterwavelengthrange AT bosyvi microwavefieldeffecttransistorsofmediumpowerinthemillimeterwavelengthrange AT kovalchukvn microwavefieldeffecttransistorsofmediumpowerinthemillimeterwavelengthrange AT ivashchukav svčpolevyetranzistorysrednejmoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln AT bosyvi svčpolevyetranzistorysrednejmoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln AT kovalchukvn svčpolevyetranzistorysrednejmoŝnostimillimetrovogodiapazonadlinvoln |