Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measur...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123631620096 |
|---|---|
| author | Krukovsky, S. I. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_facet | Krukovsky, S. I. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_sort | Krukovsky, S. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measured short-circuit current density and open-circuit voltage reached 14.2–15.1 mA/cm² and 2.35–2.43 V, respectively, while the efficiency was 26.4–30.1%. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1211 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12112026-05-19T20:36:22Z Solar cells based on tandem GaAs–InGaAs–AlGaAs heterostructures Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs Krukovsky, S. I. Nikolaenko, Yu. E. photovoltaic converters multilayer tandem heterostructures low-temperature LPE efficiency doping p–n junction фотопреобразователи многослойные тандемные гетероструктуры низкотемпературная ЖФЭ коэффициент полезного действия легирование p–n-переход The paper reports on the fabrication and investigation of tandem solar cells based on GaAs–InGaAs–AlGaAs with an active area of 0.93 cm². A tunnel junction is used to connect the upper (AlGaAs) and lower (InGaAs) cells of the tandem solar element. Under spectral conditions AM 1.5 (1 sun), the measured short-circuit current density and open-circuit voltage reached 14.2–15.1 mA/cm² and 2.35–2.43 V, respectively, while the efficiency was 26.4–30.1%. Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs–InGaAs–AlGaAs с активной площадью 0,93 см2. Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2–15,1 мА/см2 и 2,35–2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия 26,4–30,1%. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 39-40 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-40 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39/1110 Copyright (c) 2003 Krukovsky S. I., Nikolaenko Yu. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотопреобразователи многослойные тандемные гетероструктуры низкотемпературная ЖФЭ коэффициент полезного действия легирование p–n-переход Krukovsky, S. I. Nikolaenko, Yu. E. Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title_alt | Solar cells based on tandem GaAs–InGaAs–AlGaAs heterostructures |
| title_full | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title_fullStr | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title_full_unstemmed | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title_short | Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs |
| title_sort | солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур gaas–ingaas–algaas |
| topic | фотопреобразователи многослойные тандемные гетероструктуры низкотемпературная ЖФЭ коэффициент полезного действия легирование p–n-переход |
| topic_facet | photovoltaic converters multilayer tandem heterostructures low-temperature LPE efficiency doping p–n junction фотопреобразователи многослойные тандемные гетероструктуры низкотемпературная ЖФЭ коэффициент полезного действия легирование p–n-переход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskysi solarcellsbasedontandemgaasingaasalgaasheterostructures AT nikolaenkoyue solarcellsbasedontandemgaasingaasalgaasheterostructures AT krukovskysi solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas AT nikolaenkoyue solnečnyeélementynaosnovetandemnyhgeterostrukturgaasingaasalgaas |