Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
The paper examines the influence of microdefects, as well as oxygen and carbon impurities in the silicon substrate, on the breakdown voltage of an uncontrolled n++–p+ junction. The mechanism of oxygen impurity impact on the type of breakdown is briefly discussed. Practical applications of the result...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667125557854208 |
|---|---|
| author | Sidorenko, V. P. Kizyak, A. Yu. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_facet | Sidorenko, V. P. Kizyak, A. Yu. Nikolaenko, Yu. E. |
| author_sort | Sidorenko, V. P. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | The paper examines the influence of microdefects, as well as oxygen and carbon impurities in the silicon substrate, on the breakdown voltage of an uncontrolled n++–p+ junction. The mechanism of oxygen impurity impact on the type of breakdown is briefly discussed. Practical applications of the results in VLSI manufacturing technology are considered. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:20Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1218 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:20Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12182026-05-19T20:36:22Z Influence of the silicon substrate on the breakdown voltage of a branched n++–p+ junction Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода Sidorenko, V. P. Kizyak, A. Yu. Nikolaenko, Yu. E. silicon substrate breakdown voltage n –p junction microdefects oxygen carbon VLSI кремниевая подложка пробивное напряжение n –p переход микродефекты кислород углерод СБИС The paper examines the influence of microdefects, as well as oxygen and carbon impurities in the silicon substrate, on the breakdown voltage of an uncontrolled n++–p+ junction. The mechanism of oxygen impurity impact on the type of breakdown is briefly discussed. Practical applications of the results in VLSI manufacturing technology are considered. Рассмотрено влияние микродефектов, а также примесей кислорода и углерода в кремниевой подложке на пробивное напряжение неуправляемого n++-p+-перехода. Кратко рассмотрен механизм влияния примеси кислорода на тип пробоя. Рассмотрены возможности практического использования результатов данной работы в технологии изготовления СБИС. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 56-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 56-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56/1117 Copyright (c) 2003 Sidorenko V. P., Kizyak A. Yu., Nikolaenko Yu. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремниевая подложка пробивное напряжение n –p переход микродефекты кислород углерод СБИС Sidorenko, V. P. Kizyak, A. Yu. Nikolaenko, Yu. E. Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title | Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title_alt | Influence of the silicon substrate on the breakdown voltage of a branched n++–p+ junction |
| title_full | Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title_fullStr | Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title_full_unstemmed | Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title_short | Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| title_sort | влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода |
| topic | кремниевая подложка пробивное напряжение n –p переход микродефекты кислород углерод СБИС |
| topic_facet | silicon substrate breakdown voltage n –p junction microdefects oxygen carbon VLSI кремниевая подложка пробивное напряжение n –p переход микродефекты кислород углерод СБИС |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56 |
| work_keys_str_mv | AT sidorenkovp influenceofthesiliconsubstrateonthebreakdownvoltageofabranchednpjunction AT kizyakayu influenceofthesiliconsubstrateonthebreakdownvoltageofabranchednpjunction AT nikolaenkoyue influenceofthesiliconsubstrateonthebreakdownvoltageofabranchednpjunction AT sidorenkovp vliâniekremnievojpodložkinaprobivnoenaprâženierazvetvlennogonpperehoda AT kizyakayu vliâniekremnievojpodložkinaprobivnoenaprâženierazvetvlennogonpperehoda AT nikolaenkoyue vliâniekremnievojpodložkinaprobivnoenaprâženierazvetvlennogonpperehoda |