Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода

The paper examines the influence of microdefects, as well as oxygen and carbon impurities in the silicon substrate, on the breakdown voltage of an uncontrolled n++–p+ junction. The mechanism of oxygen impurity impact on the type of breakdown is briefly discussed. Practical applications of the result...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2003
Автори: Sidorenko, V. P., Kizyak, A. Yu., Nikolaenko, Yu. E.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси