Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
The paper examines the influence of microdefects, as well as oxygen and carbon impurities in the silicon substrate, on the breakdown voltage of an uncontrolled n++–p+ junction. The mechanism of oxygen impurity impact on the type of breakdown is briefly discussed. Practical applications of the result...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | Sidorenko, V. P., Kizyak, A. Yu., Nikolaenko, Yu. E. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.56 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Glushko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Glushko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Подольцев, А.Д., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)
К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
за авторством: Luzin, S. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Luzin, S. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
УПРАВЛЕНИЕ ПОТОКАМИ АКТИВНОЙ И РЕАКТИВНОЙ МОЩНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЕТЯХ
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Говоров, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2012)
PHYTOPLANKTON CARBON TO CHLOROPHYLL "A" RATIO: RESPONSE TO LIGHT, TEMPERATURE AND NUTRIENT LIMITATION
за авторством: Finenko, Z. Z., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Finenko, Z. Z., та інші
Опубліковано: (2023)
ORGANIC CARBON AND OIL HYDROCARBONS IN BOTTOM SEDIMENTS OF SEVASTOPOL BAY (THE BLACK SEA)
за авторством: Osadchaya, T. S., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Osadchaya, T. S., та інші
Опубліковано: (2023)
Проблемы и задачи развития технологий микроэлектроники в Украине
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2007)
Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2003)
Разработка устройств для анализа спектра сигналов СВЧ
за авторством: Larkin, S. Yu.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Larkin, S. Yu.
Опубліковано: (2006)
КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Тепловой режим радиоэлектронного блока с изотермической подложкой и регулируемой температурой
за авторством: Baturkin, V. M.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Baturkin, V. M.
Опубліковано: (2004)
Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)
МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2013)
РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ВЫХОДНОГО LС-ФИЛЬТРА ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПЕРЕМЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Голубев, В.В.
Опубліковано: (2012)
РЕГУЛИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИСТОЧНИКОВ ИМПУЛЬСНОГО И ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЙ ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ ПИТАНИИ ЭЛЕКТРОФИЛЬТРОВ
за авторством: Диордийчук, В.В.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Диордийчук, В.В.
Опубліковано: (2014)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Belousov, I. V.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Belousov, I. V.
Опубліковано: (2007)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гасанов, А.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Gasanov, A. M., та інші
Опубліковано: (2004)
ОСОБЛИВОСТІ ВПЛИВУ ВИЩИХ ГАРМОНІК НА ВИБІР ПАРАМЕТРІВ СТРУМОПРОВОДУ ЦЕХОВИХ МЕРЕЖ
за авторством: Коцур, М.І., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Коцур, М.І., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++-p+-перехода
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2003) -
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2005) -
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014) -
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003) -
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)