Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники
It is shown that the simultaneous growth of local films of polycrystalline and monocrystalline silicon formed the basis for the development of microelectronic negatronics, a new branch of functional electronics. The integration of sensitive elements and negatron analogs within a single crystal makes...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865848316163522560 |
|---|---|
| author | Kasimov, F. D. |
| author_facet | Kasimov, F. D. |
| author_sort | Kasimov, F. D. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-21T13:30:28Z |
| description | It is shown that the simultaneous growth of local films of polycrystalline and monocrystalline silicon formed the basis for the development of microelectronic negatronics, a new branch of functional electronics. The integration of sensitive elements and negatron analogs within a single crystal makes it possible to create microelectronic converters of nonelectrical quantities with signal transmission over distance. The paper presents a view on the prospects for using microelectronic negatronics, including bionegatronics. |
| first_indexed | 2026-05-22T01:00:17Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1221 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-22T01:00:17Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12212026-05-21T13:30:28Z Prospects for the development and application of microelectronic negatronics Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники Kasimov, F. D. negative resistance microelectronic negatronics switching high-resistance and low-resistance states galvanomagnetorecombination effect semiconductor inductance отрицательное сопротивление микроэлектронная негатроника переключение высокоомное и низкоомное состояния гальваномагниторекомбинационный эффект полупроводниковая индуктивность It is shown that the simultaneous growth of local films of polycrystalline and monocrystalline silicon formed the basis for the development of microelectronic negatronics, a new branch of functional electronics. The integration of sensitive elements and negatron analogs within a single crystal makes it possible to create microelectronic converters of nonelectrical quantities with signal transmission over distance. The paper presents a view on the prospects for using microelectronic negatronics, including bionegatronics. Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники — нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-10-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 5-8 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 5-8 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05/1120 Copyright (c) 2003 Kasimov F. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | отрицательное сопротивление микроэлектронная негатроника переключение высокоомное и низкоомное состояния гальваномагниторекомбинационный эффект полупроводниковая индуктивность Kasimov, F. D. Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title | Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title_alt | Prospects for the development and application of microelectronic negatronics |
| title_full | Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title_fullStr | Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title_full_unstemmed | Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title_short | Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| title_sort | перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники |
| topic | отрицательное сопротивление микроэлектронная негатроника переключение высокоомное и низкоомное состояния гальваномагниторекомбинационный эффект полупроводниковая индуктивность |
| topic_facet | negative resistance microelectronic negatronics switching high-resistance and low-resistance states galvanomagnetorecombination effect semiconductor inductance отрицательное сопротивление микроэлектронная негатроника переключение высокоомное и низкоомное состояния гальваномагниторекомбинационный эффект полупроводниковая индуктивность |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05 |
| work_keys_str_mv | AT kasimovfd prospectsforthedevelopmentandapplicationofmicroelectronicnegatronics AT kasimovfd perspektivyrazvitiâiprimeneniâmikroélektronnojnegatroniki |