Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію

The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP cry...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2019
Автори:	Druzhynin, Anatoliy, Maryamova, Inna, Kutrakov, Oleksiy
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019
Теми:	ниткоподібні кристали фосфід галію сенсори деформація температура
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.26
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-124
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-1242025-05-30T19:30:18Z High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію Druzhynin, Anatoliy Maryamova, Inna Kutrakov, Oleksiy whiskers gallium phosphide sensor deformation temperature ниткоподібні кристали фосфід галію сенсори деформація температура The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10–3 rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95.The study of tensoresistive properties shows that in the temperature range of 20—300°C for p-type GaP crystals with the resistivity of 0,01—0,03 Ω·cm, the gage factor decreases as the temperature rises, but in the temperature range of 300—550°C for this crystals, very slight temperature dependence of the gage factor was observed. In this temperature range, the temperature coefficient of gage factor is no more than –0,03%/°C. In the temperature range of 300—500°C, the value of gage factor is high (40—50). It could be noticed that in the entire investigated temperature range, the strain sensors based on p-type GaP whiskers have the linear resistance vs. strain dependence in the strain range of ±5,0·10–4 rel. un. The developed strain sensors based on p-type GaP whiskers have high mechanical strength at the static and dynamic strain (more than 108 cycles), which makes them operable in dynamic mode. Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10–3 відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019-09-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.26 10.15222/TKEA2019.3-4.26 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2019): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 26-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2019): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 26-30 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2019.3-4 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.26/114 Copyright (c) 2019 Druzhinin A. O., Maryamova I. I., Kutrakov O. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:30:18Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	ниткоподібні кристали фосфід галію сенсори деформація температура
spellingShingle	ниткоподібні кристали фосфід галію сенсори деформація температура Druzhynin, Anatoliy Maryamova, Inna Kutrakov, Oleksiy Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
topic_facet	whiskers gallium phosphide sensor deformation temperature ниткоподібні кристали фосфід галію сенсори деформація температура
format	Article
author	Druzhynin, Anatoliy Maryamova, Inna Kutrakov, Oleksiy
author_facet	Druzhynin, Anatoliy Maryamova, Inna Kutrakov, Oleksiy
author_sort	Druzhynin, Anatoliy
title	Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_short	Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_full	Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_fullStr	Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_full_unstemmed	Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_sort	високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
title_alt	High temperature strain sensors based on gallium phosphide whiskers
description	The paper presents a study of tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers with [111] crystallographic orientation coinciding with the direction of the maximal piezoresistive effect for this material. The authors present a newly-developed technology of creating the ohmic contacts to GaP crystals that allows using these crystals at high temperatures (400—600°C). Tensoresistive characteristics of p-type GaP whiskers were studied in the strain range of ±1,2·10–3 rel. un. These studies show that the gauge factor for these crystals at 20°C is rather large. Thus, for p-type GaP crystals with a resistivity of 0.025—0.03 Ω·cm, the gage factor is in the range of 90—95.The study of tensoresistive properties shows that in the temperature range of 20—300°C for p-type GaP crystals with the resistivity of 0,01—0,03 Ω·cm, the gage factor decreases as the temperature rises, but in the temperature range of 300—550°C for this crystals, very slight temperature dependence of the gage factor was observed. In this temperature range, the temperature coefficient of gage factor is no more than –0,03%/°C. In the temperature range of 300—500°C, the value of gage factor is high (40—50). It could be noticed that in the entire investigated temperature range, the strain sensors based on p-type GaP whiskers have the linear resistance vs. strain dependence in the strain range of ±5,0·10–4 rel. un. The developed strain sensors based on p-type GaP whiskers have high mechanical strength at the static and dynamic strain (more than 108 cycles), which makes them operable in dynamic mode.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2019
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.26
work_keys_str_mv	AT druzhyninanatoliy hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers AT maryamovainna hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers AT kutrakovoleksiy hightemperaturestrainsensorsbasedongalliumphosphidewhiskers AT druzhyninanatoliy visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT maryamovainna visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû AT kutrakovoleksiy visokotemperaturnísensorideformacíínaosnovínitkopodíbnihkristalívfosfídugalíû
first_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
_version_	1850410211904323584

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію

Репозитарії

Схожі ресурси