Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю

The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	Makhniy, V., Berezovskiy, M., Kinzerska, O., Melnyk, V.
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019
Schlagworte:	селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-127
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-1272025-05-30T19:30:18Z Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. zinc selenide p-type conductivity ionization energy concentration luminescence селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that the Ca-doping of the substrates causes an almost complete “quenching” of the low-energy orange emission band with a maximum near hωmax ≈ 1,95 eV and a significant increase in the efficiency of the edge blue luminescence band. Досліджено вплив обробки підкладинок n-ZnSe в киплячій водній суспензії солі Ca(NO3)2 на їхні електричні та люмінесцентні властивості. Базові підкладинки вирізались з об’ємних бездомішкових кристалів селеніду цинку, вирощених методом Бріджмена із розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що обробка призводить до появи діркової провідності поверхневих шарів підкладинок, величина якої за 300 К складає σp ≈ 4 Ом–1·см–1. Значення енергії іонізації електрично активних акцепторних центрів, знайдені з температурної залежності опору Rр легованого кальцієм шару селеніду цинку, дорівнюють Ea1 ≈ 0,11 еВ та Ea2 ≈ 0,2 еВ. Значення їхніх концентрацій, розраховані з врахуванням характерних точок зламу на графіку залежності Rр(T), складають для відповідних центрів Na1 ≈ 1,6·1018 см–3 та Na2 ≈ 3·1017 см–3. Оціночна концентрація вільних дірок в отриманих шарах за 300 К дорівнює р0 ≈ 8·1017 см–3. Встановлено, що легування подкладинок кальцієм викликає практично повне «гасіння» низькоенергетичної помаранчевої смуги випромінювання з максимумом поблизу hωmax ≈ 1,95 еВ і значне збільшення ефективності крайової блакитної смуги люмінесценції. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019-09-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31 10.15222/TKEA2019.3-4.31 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2019): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2019): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-35 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2019.3-4 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31/116 Copyright (c) 2019 Makhniy V. P., Berezovskiy M. M., Kinzerska O. V., Melnyk V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:30:18Z
collection	OJS
language	English
topic	селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція
spellingShingle	селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
topic_facet	zinc selenide p-type conductivity ionization energy concentration luminescence селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція
format	Article
author	Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V.
author_facet	Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V.
author_sort	Makhniy, V.
title	Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
title_short	Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
title_full	Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
title_fullStr	Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
title_full_unstemmed	Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
title_sort	поверхневі шари znse:ca з дірковою провідністю
title_alt	Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
description	The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that the Ca-doping of the substrates causes an almost complete “quenching” of the low-energy orange emission band with a maximum near hωmax ≈ 1,95 eV and a significant increase in the efficiency of the edge blue luminescence band.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2019
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31
work_keys_str_mv	AT makhniyv surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT berezovskiym surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT kinzerskao surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT melnykv surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT makhniyv poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT berezovskiym poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT kinzerskao poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT melnykv poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû
first_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
_version_	1850410212117184512

Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю

Institution

Ähnliche Einträge