Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543748578607104 |
|---|---|
| author | Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. |
| author_facet | Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. |
| author_sort | Makhniy, V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:30:18Z |
| description | The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that the Ca-doping of the substrates causes an almost complete “quenching” of the low-energy orange emission band with a maximum near hωmax ≈ 1,95 eV and a significant increase in the efficiency of the edge blue luminescence band. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:25Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-127 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | English |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:25Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-1272025-05-30T19:30:18Z Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. zinc selenide p-type conductivity ionization energy concentration luminescence селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція The authors investigate the effect of treating n-ZnSe substrates with boiling aqueous Ca(NO3)2 suspension on their electrical and luminescent properties. Base substrates were cut from bulk pure zinc selenide crystals grown from a stoichiometric melt by the Bridgman method. It was found that the Ca-doping of the substrates causes an almost complete “quenching” of the low-energy orange emission band with a maximum near hωmax ≈ 1,95 eV and a significant increase in the efficiency of the edge blue luminescence band. Досліджено вплив обробки підкладинок n-ZnSe в киплячій водній суспензії солі Ca(NO3)2 на їхні електричні та люмінесцентні властивості. Базові підкладинки вирізались з об’ємних бездомішкових кристалів селеніду цинку, вирощених методом Бріджмена із розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що обробка призводить до появи діркової провідності поверхневих шарів підкладинок, величина якої за 300 К складає σp ≈ 4 Ом–1·см–1. Значення енергії іонізації електрично активних акцепторних центрів, знайдені з температурної залежності опору Rр легованого кальцієм шару селеніду цинку, дорівнюють Ea1 ≈ 0,11 еВ та Ea2 ≈ 0,2 еВ. Значення їхніх концентрацій, розраховані з врахуванням характерних точок зламу на графіку залежності Rр(T), складають для відповідних центрів Na1 ≈ 1,6·1018 см–3 та Na2 ≈ 3·1017 см–3. Оціночна концентрація вільних дірок в отриманих шарах за 300 К дорівнює р0 ≈ 8·1017 см–3. Встановлено, що легування подкладинок кальцієм викликає практично повне «гасіння» низькоенергетичної помаранчевої смуги випромінювання з максимумом поблизу hωmax ≈ 1,95 еВ і значне збільшення ефективності крайової блакитної смуги люмінесценції. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019-09-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31 10.15222/TKEA2019.3-4.31 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2019): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2019): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-35 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2019.3-4 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31/116 Copyright (c) 2019 Makhniy V. P., Berezovskiy M. M., Kinzerska O. V., Melnyk V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція Makhniy, V. Berezovskiy, M. Kinzerska, O. Melnyk, V. Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title | Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title_alt | Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity |
| title_full | Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title_fullStr | Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title_full_unstemmed | Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title_short | Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю |
| title_sort | поверхневі шари znse:ca з дірковою провідністю |
| topic | селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція |
| topic_facet | zinc selenide p-type conductivity ionization energy concentration luminescence селенід цинку діркова провідність енергія іонізації концентрація люмінесценція |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.3-4.31 |
| work_keys_str_mv | AT makhniyv surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT berezovskiym surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT kinzerskao surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT melnykv surfaceznsecalayerswithholeconductivity AT makhniyv poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT berezovskiym poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT kinzerskao poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû AT melnykv poverhnevíšariznsecazdírkovoûprovídnístû |