Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
An experimental batch of selective and broadband ultraviolet radiation sensors of a new generation has been developed and manufactured, based on layered heterostructures in the A2B6 wide-band semiconductor system and their solid solutions. The created sensors have no industrial analogues worldwide....
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.51 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1868747566005354496 |
|---|---|
| author | Kolezhuk, K. V. Komashchenko, V. N. Sheremetova, G. I. Korzhinsky, F. I. Chmil, V. M. |
| author_facet | Kolezhuk, K. V. Komashchenko, V. N. Sheremetova, G. I. Korzhinsky, F. I. Chmil, V. M. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "K. V. Kolezhuk",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "V. N. Komashchenko",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "G. I. Sheremetova",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "F. I. Korzhinsky",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "V. M. Chmil",
"institution": "SPE «Saturn», Kyiv, Ukraine"
}
] |
| author_sort | Kolezhuk, K. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-06-22T12:48:06Z |
| description | An experimental batch of selective and broadband ultraviolet radiation sensors of a new generation has been developed and manufactured, based on layered heterostructures in the A2B6 wide-band semiconductor system and their solid solutions. The created sensors have no industrial analogues worldwide. Their main distinguishing feature is insensitivity to visible light without the need for special optical filters to correct the spectral response. They are intended for ultraviolet radiation monitoring. |
| first_indexed | 2026-06-23T01:02:37Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1274 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-06-23T01:02:37Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/ea/40184ca447cff11053d3c3efafb246ea.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12742026-06-22T12:48:06Z New generation of ultraviolet radiation photodetectors Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения Kolezhuk, K. V. Komashchenko, V. N. Sheremetova, G. I. Korzhinsky, F. I. Chmil, V. M. ultraviolet photodetectors A2B6 wide-band semiconductors layered heterostructures spectral response UV radiation monitoring фотоприемники ультрафиолетового излучения широкозонные полупроводники А2В6 слоистые гетероструктуры спектральная характеристика мониторинг УФ-излучения An experimental batch of selective and broadband ultraviolet radiation sensors of a new generation has been developed and manufactured, based on layered heterostructures in the A2B6 wide-band semiconductor system and their solid solutions. The created sensors have no industrial analogues worldwide. Their main distinguishing feature is insensitivity to visible light without the need for special optical filters to correct the spectral response. They are intended for ultraviolet radiation monitoring. Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А2В6 и их твердых растворов. Созданные сенсоры не имеют промышленных аналогов в мире. Их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.51 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 51-52 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 51-52 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.51/1173 Copyright (c) 2003 Kolezhuk K. V., Komashchenko V. N., Sheremetova G. I., Korzhinsky F. I., Chmil V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотоприемники ультрафиолетового излучения широкозонные полупроводники А2В6 слоистые гетероструктуры спектральная характеристика мониторинг УФ-излучения Kolezhuk, K. V. Komashchenko, V. N. Sheremetova, G. I. Korzhinsky, F. I. Chmil, V. M. Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title_alt | New generation of ultraviolet radiation photodetectors |
| title_full | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title_fullStr | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title_full_unstemmed | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title_short | Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| title_sort | новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения |
| topic | фотоприемники ультрафиолетового излучения широкозонные полупроводники А2В6 слоистые гетероструктуры спектральная характеристика мониторинг УФ-излучения |
| topic_facet | ultraviolet photodetectors A2B6 wide-band semiconductors layered heterostructures spectral response UV radiation monitoring фотоприемники ультрафиолетового излучения широкозонные полупроводники А2В6 слоистые гетероструктуры спектральная характеристика мониторинг УФ-излучения |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.51 |
| work_keys_str_mv | AT kolezhukkv newgenerationofultravioletradiationphotodetectors AT komashchenkovn newgenerationofultravioletradiationphotodetectors AT sheremetovagi newgenerationofultravioletradiationphotodetectors AT korzhinskyfi newgenerationofultravioletradiationphotodetectors AT chmilvm newgenerationofultravioletradiationphotodetectors AT kolezhukkv novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ AT komashchenkovn novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ AT sheremetovagi novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ AT korzhinskyfi novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ AT chmilvm novoepokoleniefotopriemnikovulʹtrafioletovogoizlučeniâ |