Зображення обкладинки

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

A review of recent published results on the development of high-power microwave transistors based on AlGaN/GaN heterostructures is presented. The design and manufacturing technology of these transistors are discussed, along with studies of substrate influence on device characteristics. It is shown t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:	мощные СВЧ‑транзисторы гетероструктуры AlGaN/GaN HEMT надежность приборов
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.53
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2003)

СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Ivashchuk, A. V., та інші
Опубліковано: (2003)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
за авторством: Naida, S. A., та інші
Опубліковано: (2021)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
за авторством: Kogan, L. M.
Опубліковано: (2012)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Твердотельный СВЧ генератор на основе волноводно-коаксиального резонатора
за авторством: Макеев, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

Длинноволновые источники ИК-излучения на основе широкозонных полупроводников
за авторством: Болгов, С.С.
Опубліковано: (2001)

Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
за авторством: Moskalyuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2003)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Становление и развитие квантовой радиофизики и квантовой электроники СВЧ диапазона в Украине
за авторством: Еру, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)

ÐšÐ¾ÐµÑ„Ñ–Ñ†Ñ–Ñ”Ð½Ñ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¾Ð½Ð¸ÐºÐ½Ð¾ÑÑ‚Ñ– Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½ ÐµÐ½Ñ‚ÐµÑ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² Ð¼Ð¸ÑˆÑ– Ð´Ð»Ñ Ð²Ð¾Ð´Ð¸ Ñ– ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ñ–Ð²
за авторством: Ogurtsova, Viktoriya V., та інші
Опубліковано: (2016)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
за авторством: Осинський, В. І., та інші
Опубліковано: (2013)

Ð”Ð¸Ð½Ð°Ð¼Ð¸ÐºÐ° Ð½Ð°ÐºÐ¾Ð¿Ð»ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð»Ð°ÐºÑ‚Ð°Ñ‚Ð° Ð² ÑÐ¿ÐµÑ€Ð¼Ð¸ÑÑ… Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ° Ð¿Ñ€Ð¸ Ð²Ð²ÐµÐ´ÐµÐ½Ð¸Ð¸ Ð¿ÐµÑ€Ñ„Ñ‚Ð¾Ñ€Ð°Ð½Ð° Ð² ÑÑ€ÐµÐ´Ñƒ Ð³Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ñ
за авторством: Cherkashina, I. V.
Опубліковано: (2003)

Проектирование биполярных микросхем широкополосных усилителей диапазона 40 МГц
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2005)

ÐžÐ¿Ñ‚Ð¸Ð¼Ð¸Ð·Ð°Ñ†Ð¸Ñ Ð¼ÐµÑ‚Ð¾Ð´Ð° Ð²Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ð¸ÐºÐ°Ñ†Ð¸Ð¸ Ð¼ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ ÐºÐ°Ñ€Ñ‚Ð¾Ñ„ÐµÐ»Ñ
за авторством: Stribul, T. F., та інші
Опубліковано: (2005)

ÐÐ½Ð´Ð¾ÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ñ…Ð¸Ñ€ÑƒÑ€Ð³Ð¸Ñ
за авторством: Chizh, Nikolay A.
Опубліковано: (2017)

Вибір умов вітрифікації макропористих матриць, заселених мезенхімальними стромальними клітинами
за авторством: Trufanova , Natalia, та інші
Опубліковано: (2020)

Ð“Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÑƒÑÑ‚Ð¾Ð¹Ñ‡Ð¸Ð²Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ„ÐµÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ° Ð² ÑÐ»ÐµÐºÑ‚Ñ€Ð¾Ð»Ð¸Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
за авторством: Kuleshova, L. G.
Опубліковано: (2003)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

ÐŸÑ€Ð¾Ð´Ð¾Ð»Ð¶Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ð¾Ð±Ñ‰ÐµÐ³Ð¾ Ð°ÑÑ€Ð¾ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð²Ð¾Ð·Ð´ÐµÐ¹ÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ(â€“120Â°Ð¡) Ð²Ð»Ð¸ÑÐµÑ‚ Ð½Ð° Ð½ÐµÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ðµ ÑÐ²Ð¾Ð¹ÑÑ‚Ð²Ð° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð¼Ñ‹ÑˆÐ¸
за авторством: Kudokotseva, Olga V., та інші
Опубліковано: (2017)

CÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ñ‹Ðµ Ð¿ÐµÑ€ÐµÑÑ‚Ñ€Ð¾Ð¹ÐºÐ¸ Ð² ÐºÐ»ÐµÑ‚ÐºÐ°Ñ… Ð¸ Ð¸Ñ… Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½Ð°Ñ… Ð¿Ñ€Ð¸ Ð´Ð»Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾Ð¼ Ð³Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¸
за авторством: Repin, N. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Ðš ÐºÐ¾Ð½Ñ†ÐµÐ¿Ñ†Ð¸Ð¸ ÑÐºÐ·Ð¸ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ñ†ÐµÑ„Ð°Ð»Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼Ñ‹ Ð¾Ñ…Ð»Ð°Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð½Ð¾Ð³Ð¾ Ð¼Ð¾Ð·Ð³Ð°. Ð§Ð°ÑÑ‚ÑŒ 5. Ð¤Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð°Ñ Ð³Ð¾Ð¼ÐµÐ¾Ð¼ÐµÑ‚Ñ€Ð¸Ñ ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ð¾-Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ð¸Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐ¾ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ð¸Ñ Ð¸Ð¼Ð¼ÑƒÐ½Ð½Ð¾Ð¹ Ð¸ ÑÐµÑ€Ð´ÐµÑ‡Ð½Ð¾-ÑÐ¾ÑÑƒÐ´Ð¸ÑÑ‚Ð¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ Ð¿Ñ€Ð¸ Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¾Ð¼ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÐµ
за авторством: Babiychuk, V. G., та інші
Опубліковано: (2006)

ÐŸÐ¾ÑÑ‚Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ð¹ Ð»Ð¸Ð·Ð¸Ñ Ð¼Ð¾Ð´Ð¸Ñ„Ð¸Ñ†Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð² Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ€Ð°Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
за авторством: Olejnik, O. A., та інші
Опубліковано: (2003)

ÐšÑ–Ð½ÐµÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ñ„Ð°Ð·Ð¾Ð²Ð¸Ñ… Ð¿ÐµÑ€ÐµÑ‚Ð²Ð¾Ñ€ÐµÐ½ÑŒ Ñƒ Ð¿Ñ€Ð¾Ñ†ÐµÑÑ– Ð¾Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ â€“ Ð²Ñ–Ð´Ñ–Ð³Ñ€Ñ–Ð²Ñƒ ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½ Saccharomyces cerevisiae Ð² Ð°Ð»ÑŒÐ³Ñ–Ð½Ð°Ñ‚Ð²Ð¼Ñ–ÑÐ½Ð¸Ñ… ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð·Ð°Ñ…Ð¸ÑÐ½Ð¸Ñ… ÑÐµÑ€ÐµÐ´Ð¾Ð²Ð¸Ñ‰Ð°Ñ…
за авторством: Ponomareva, Victoria L., та інші
Опубліковано: (2018)

ÐžÑ†ÐµÐ½ÐºÐ° Ð¶Ð¸Ð·Ð½ÐµÑÐ¿Ð¾ÑÐ¾Ð±Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ ÑÐ¼Ð±Ñ€Ð¸Ð¾Ð½Ð¾Ð² Ð¼Ð»ÐµÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‚Ð°ÑŽÑ‰Ð¸Ñ… Ð¸ ÑÑ„Ñ„ÐµÐºÑ‚Ð¸Ð²Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ Ñ‚ÐµÑ…Ð½Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ð¸Ð¸ Ð¸Ñ… ÐºÑ€Ð¸Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð¸Ñ
за авторством: Gorbunov, L. V.
Опубліковано: (2003)

ВПЛИВ ТЕПЛОПРОВІДНОСТІ ПРЕКУРСОРІВ І ЇХ РОЗЧИННИКІВ НА ТЕПЛОВИЙ СТАН КОМІРКИ АПАРАТА ВИСОКОГО ТИСКУ ПРИ КРИСТАЛІЗАЦІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК СИСТЕМИ AIIIBV
за авторством: Людвіченко, Олексій, та інші
Опубліковано: (2025)

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2023)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
за авторством: Gentsar, P. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ð°Ð¼Ñ„Ð¸Ñ„Ð¸Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÐ¾ÐµÐ´Ð¸Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¹ Ð½Ð° Ñ‡ÑƒÐ²ÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ‡Ð°ÑÑ‚Ð¸Ñ‡Ð½Ð¾ Ð¾Ð±ÐµÐ·Ð²Ð¾Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ðº Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼Ñƒ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÑƒ
за авторством: Orlova, N. V., та інші
Опубліковано: (2003)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ñ…Ð»Ð¾Ñ€Ð¸Ð´Ð° Ð°Ð»ÑŽÐ¼Ð¸Ð½Ð¸Ñ Ð¸ Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ… ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ð¾Ð² Ð½Ð° Ñ€Ð°Ð·Ð²Ð¸Ñ‚Ð¸Ðµ Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð³ÐµÐ¼Ð¾Ð»Ð¸Ð·Ð° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ°
за авторством: Nardid, Ya. O., та інші
Опубліковано: (2005)