Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

• Дата: 2003
• Автори: Shvarts, Yu. M., Shvarts, M. M., Ivashchenko, A. N., Bosyi, V. I., Maksimenko, A. G., Sapon, S. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Теми: кремниевые диодные термодатчики; стойкость к механическим ударам и вибрациям; стойкость к климатическим и радиационным воздействиям
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low and high temperatures, thermal cycles, mechanical shocks and vibrations, climatic factors, high radiation, and more.