Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low a...
Gespeichert in:
| Datum: | 2003 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1868747567844556800 |
|---|---|
| author | Shvarts, Yu. M. Shvarts, M. M. Ivashchenko, A. N. Bosyi, V. I. Maksimenko, A. G. Sapon, S. V. |
| author_facet | Shvarts, Yu. M. Shvarts, M. M. Ivashchenko, A. N. Bosyi, V. I. Maksimenko, A. G. Sapon, S. V. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "Yu. M. Shvarts",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "M. M. Shvarts",
"institution": "V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "A. N. Ivashchenko",
"institution": "Saturn-Micro Subsidiary, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "V. I. Bosyi",
"institution": "SPE «Saturn», Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "A. G. Maksimenko",
"institution": "Kvazar-IS Subsidiary, Kyiv, Ukraine"
},
{
"author": "S. V. Sapon",
"institution": "Kvazar-IS Subsidiary, Kyiv, Ukraine"
}
] |
| author_sort | Shvarts, Yu. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-06-22T12:48:06Z |
| description | Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low and high temperatures, thermal cycles, mechanical shocks and vibrations, climatic factors, high radiation, and more. |
| first_indexed | 2026-06-23T01:02:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1276 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-06-23T01:02:39Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/26/cfa2811700f8a33ede51b7ad3540ab26.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12762026-06-22T12:48:06Z New generation of microelectronic silicon temperature sensors Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков Shvarts, Yu. M. Shvarts, M. M. Ivashchenko, A. N. Bosyi, V. I. Maksimenko, A. G. Sapon, S. V. silicon diode temperature sensors mechanical shock and vibration resistance climatic and radiation resistance кремниевые диодные термодатчики стойкость к механическим ударам и вибрациям стойкость к климатическим и радиационным воздействиям Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low and high temperatures, thermal cycles, mechanical shocks and vibrations, climatic factors, high radiation, and more. Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 59-60 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 59-60 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59/1175 Copyright (c) 2003 Shvarts Yu. M., Shvarts M. M., Ivashchenko A. N., Bosyi V. I., Maksimenko A. G., Sapon S. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремниевые диодные термодатчики стойкость к механическим ударам и вибрациям стойкость к климатическим и радиационным воздействиям Shvarts, Yu. M. Shvarts, M. M. Ivashchenko, A. N. Bosyi, V. I. Maksimenko, A. G. Sapon, S. V. Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_alt | New generation of microelectronic silicon temperature sensors |
| title_full | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_fullStr | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_full_unstemmed | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_short | Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| title_sort | новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков |
| topic | кремниевые диодные термодатчики стойкость к механическим ударам и вибрациям стойкость к климатическим и радиационным воздействиям |
| topic_facet | silicon diode temperature sensors mechanical shock and vibration resistance climatic and radiation resistance кремниевые диодные термодатчики стойкость к механическим ударам и вибрациям стойкость к климатическим и радиационным воздействиям |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59 |
| work_keys_str_mv | AT shvartsyum newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT shvartsmm newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT ivashchenkoan newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT bosyivi newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT maksimenkoag newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT saponsv newgenerationofmicroelectronicsilicontemperaturesensors AT shvartsyum novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT shvartsmm novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT ivashchenkoan novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT bosyivi novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT maksimenkoag novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov AT saponsv novoepokoleniemikroélektronnyhkremnievyhtermodatčikov |