Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Shvarts, Yu. M., Shvarts, M. M., Ivashchenko, A. N., Bosyi, V. I., Maksimenko, A. G., Sapon, S. V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Schlagworte: кремниевые диодные термодатчики; стойкость к механическим ударам и вибрациям; стойкость к климатическим и радиационным воздействиям
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Silicon diode temperature sensors of a new generation are presented. The developed sensors are characterized by high measurement accuracy over a wide temperature range, high interchangeability, low power consumption, small mass, and the ability to operate effectively under combined exposure to low a...