Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
A method for analytical calculation of relaxation times of concentration, momentum, and energy for GaAs in strong electric fields is proposed. The approach enables modeling of dynamic processes using the corresponding balance equations.
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Author Affiliations: |
|
| Keywords: | keywords |
| Main Authors: | Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.61 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
| Download file: |
|
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
by: Москалюк, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Москалюк, В.А., et al.
Published: (2003)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005)
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
by: Kolodiy, Z. A., et al.
Published: (2009)
by: Kolodiy, Z. A., et al.
Published: (2009)
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн
by: Ivashchuk, A. V., et al.
Published: (2003)
by: Ivashchuk, A. V., et al.
Published: (2003)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2003)
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2003)
Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
by: Gentsar, P. O., et al.
Published: (2018)
by: Gentsar, P. O., et al.
Published: (2018)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Azhazha, V. M., et al.
Published: (2002)
by: Azhazha, V. M., et al.
Published: (2002)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
by: Kurak, V. V., et al.
Published: (2002)
by: Kurak, V. V., et al.
Published: (2002)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
by: Koval’chuk, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Koval’chuk, V. A., et al.
Published: (2011)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
by: Zavadsky, V. A., et al.
Published: (2002)
by: Zavadsky, V. A., et al.
Published: (2002)
КМОП ИС задающего генератора с кварцевой стабилизацией частоты
by: Zolotarevsky, V. I., et al.
Published: (2003)
by: Zolotarevsky, V. I., et al.
Published: (2003)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Krukovskyi, S. I.
Published: (2002)
by: Krukovskyi, S. I.
Published: (2002)
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)
by: Stempitsky, V. R., et al.
Published: (2017)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)
ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
by: Борщев, П.И.
Published: (2015)
by: Борщев, П.И.
Published: (2015)
ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
by: Борщев, П.И.
Published: (2015)
by: Борщев, П.И.
Published: (2015)
Диэлектрические ван-флековские парамагнетики в сильных магнитных полях
by: Тагиров, М.С., et al.
Published: (2002)
by: Тагиров, М.С., et al.
Published: (2002)
Моделирование низкочастотных соединителей для применения в высокочастотных цепях
by: Efimenko, A. A., et al.
Published: (2004)
by: Efimenko, A. A., et al.
Published: (2004)
Coherence of Bose–Einstein condensate of dipolar excitons in GaAs/AlGaAs heterostructure
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Gorbunov, et al.
Published: (2016)
Кинетические явления в органических проводниках в сильных магнитных полях
by: Песчанский, В.Г., et al.
Published: (2016)
by: Песчанский, В.Г., et al.
Published: (2016)
О намагниченности низкоразмерного электронного газа в сильных магнитных полях
by: Гохфельд, В.М.
Published: (2004)
by: Гохфельд, В.М.
Published: (2004)
Средние силы, действующие на вещество в сильных лазерных полях
by: Андреев, С.Н., et al.
Published: (2010)
by: Андреев, С.Н., et al.
Published: (2010)
Исследование сверхпроводящей микроволновой линии передачи в сильных электромагнитных полях
by: Лавринович, А.А., et al.
Published: (2009)
by: Лавринович, А.А., et al.
Published: (2009)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
by: V. V. Vainberg, et al.
Published: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
by: Vainberg, V.V., et al.
Published: (2013)
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
by: Bosyi, V. I., et al.
Published: (2003)
by: Bosyi, V. I., et al.
Published: (2003)
Феноменологическая теория релаксации в двухподрешеточном феррите
by: Bar’yakhtar, V. G., et al.
Published: (2018)
by: Bar’yakhtar, V. G., et al.
Published: (2018)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
by: L. V. Kulik, et al.
Published: (2017)
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2007)
by: Якунин, М.В., et al.
Published: (2007)
Особенности магнитоэлектрических свойств BiFeO₃ в сильных магнитных полях
by: Попов, Ю.Ф., et al.
Published: (2001)
by: Попов, Ю.Ф., et al.
Published: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2004)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2004)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
by: Подольцев, А.Д., et al.
Published: (2018)
by: Подольцев, А.Д., et al.
Published: (2018)
К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ПОНЯТИЯ "ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ" В ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИКЕ
by: Подольцев, А.Д., et al.
Published: (2018)
by: Подольцев, А.Д., et al.
Published: (2018)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
by: Verbitsky, V. G., et al.
Published: (2004)
by: Verbitsky, V. G., et al.
Published: (2004)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
by: Karimov, A.V., et al.
Published: (2005)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Similar Items
-
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
by: Москалюк, В.А., et al.
Published: (2003) -
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005) -
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009) -
Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
by: Kolodiy, Z. A., et al.
Published: (2009)