Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
A mathematical model of a thin‑film transistor with a Schottky gate based on amorphous semiconductor layers is proposed. Using the presented model, the main parameters and characteristics of a transistor based on an organic phthalocyanine film were calculated. The study highlights the prospects of u...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.18 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
за авторством: Мамедов, А.К.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мамедов, А.К.
Опубліковано: (2003)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2006)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
за авторством: Emtsev, P. A.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Emtsev, P. A.
Опубліковано: (2003)
Математические модели сопротивления тонкопленочного резистора с размерами 50 мкм
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2004)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2009)
Метод оценки качества тонкопленочной платы
за авторством: Spirin, V. G
Опубліковано: (2012)
за авторством: Spirin, V. G
Опубліковано: (2012)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
за авторством: Rubtsevitch, I. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Rubtsevitch, I. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
Тепловая модель и КПД анизотропного термоэлемента в режиме генерации электроэнергии
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Критериальный подход к выбору режима работы термоэлектрического охлаждающего устройства
за авторством: Зайков, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зайков, В.П., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Balitskaya, V. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Balitskaya, V. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Pavluchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Метод экспертного выбора цифровых компонентов систем промышленной автоматики на основе марковской модели
за авторством: Болтенков, В.А., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Болтенков, В.А., та інші
Опубліковано: (2018)
Моделирование нелинейных процессов в экранированной камере на основе метода расщепления
за авторством: Соловьева, Е.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Соловьева, Е.Б., та інші
Опубліковано: (2008)
Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)