Buchumschlag

Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника

A mathematical model of a thin‑film transistor with a Schottky gate based on amorphous semiconductor layers is proposed. Using the presented model, the main parameters and characteristics of a transistor based on an organic phthalocyanine film were calculated. The study highlights the prospects of u...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
1. Verfasser:	Mamedov, A. K.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	тонкопленочный транзистор затвор Шоттки аморфный полупроводник математическая модель фталоцианин устройства отображения
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.18
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
von: Мамедов, А.К.
Veröffentlicht: (2003)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Anufriev, L. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
von: Emtsev, P. A.
Veröffentlicht: (2003)

Математические модели сопротивления тонкопленочного резистора с размерами 50 мкм
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
von: Filinyuk, N. А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование погрешности сопротивления тонкопленочного резистора
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2009)

Метод оценки качества тонкопленочной платы
von: Spirin, V. G
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
von: Rubtsevitch, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Тепловая модель и КПД анизотропного термоэлемента в режиме генерации электроэнергии
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Критериальный подход к выбору режима работы термоэлектрического охлаждающего устройства
von: Зайков, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Balitskaya, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2018)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Метод экспертного выбора цифровых компонентов систем промышленной автоматики на основе марковской модели
von: Болтенков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Моделирование нелинейных процессов в экранированной камере на основе метода расщепления
von: Соловьева, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)