Зображення обкладинки

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

The paper analyzes the electrical and photoelectric properties of rectifying structures of various types (surface‑barrier diodes, p–n homojunctions, and heterojunctions) based on gallium and indium monoselenides. The influence of the parameters of the base materials on the main technical characteris...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2003
Автори:	Kovaliuk, Z. D., Makhniy, V. P., Yanchuk, A. I.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Теми:	фотодиоды моноселенид галлия моноселенид индия электрические свойства фотоэлектрические свойства p–n‑переход гетеропереход
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.42
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2003)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Terletskaya, L. L., та інші
Опубліковано: (2003)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2003)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
за авторством: Hadzaman, I. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Gorokh, G. G., та інші
Опубліковано: (2015)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние резонансного электрон-фононного взаимодействия на электронный спектр вольфрама и галлия
за авторством: Бурма, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором
за авторством: Цысарь, М.А.
Опубліковано: (2016)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2003)

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2003)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovskiy, S. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Моделирование низкочастотных соединителей для применения в высокочастотных цепях
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Магнитосопротивление органических проводников на основе тетратиафульвалена
за авторством: Хасан Раид Аталла
Опубліковано: (2003)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Babichev, G. G., та інші
Опубліковано: (2004)

Смачивание нанесенных на кварцевое стекло и алюминиевый сплав нанопокрытий Cu и Ti—Cu расплавами олова и индия
за авторством: Красовский, В.П., та інші
Опубліковано: (2019)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Новые сверхтвердые материалы на основе алмаза: получение, свойства. Обзор
за авторством: Шульженко, А.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)

Моделирование новых сверхтвердых углеродных материалов на основе фуллеренов и нанотрубок
за авторством: Ивановская, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)