Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
A variant of a combined capacitor dielectric based on tantalum pentoxide for VLSI capacitors is proposed. To find the optimal combination of layers in which the Si—SiO₂—Ta₂O₅ system does not undergo elastic mechanical deformation, a stress model was constructed. Calculations showed that when the thi...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.19 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1869653423641591808 |
|---|---|
| author | Pilipenko, V. A. Ponomar, V. N. Petlitskaya, T. V. |
| author_facet | Pilipenko, V. A. Ponomar, V. N. Petlitskaya, T. V. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "V. A. Pilipenko",
"institution": "«Integral» Scientific Production Association, Minsk, Belarus"
},
{
"author": "V. N. Ponomar",
"institution": "«Integral» Scientific Production Association, Minsk, Belarus"
},
{
"author": "T. V. Petlitskaya",
"institution": "«Integral» Scientific Production Association, Minsk, Belarus"
}
] |
| author_sort | Pilipenko, V. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-07-02T13:33:03Z |
| description | A variant of a combined capacitor dielectric based on tantalum pentoxide for VLSI capacitors is proposed. To find the optimal combination of layers in which the Si—SiO₂—Ta₂O₅ system does not undergo elastic mechanical deformation, a stress model was constructed. Calculations showed that when the thickness ratio of Ta₂O₅ and SiO₂ films is 1:10, the curvature radius of the plate with formed dielectrics tends to infinity, and the curvature itself approaches zero. Elastic constants for the Ta₂O₅ film were also calculated. |
| first_indexed | 2026-07-03T01:00:50Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2003, ¹ 1
19
ÏÐÎÅÊÒÈÐÎÂÀÍÈÅ. ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
15.07 2002 ã. �16.01 2003 ã.
Îïïîíåíòû ê. ò. í. Ã. Ã. ×ÈÃÈÐÜ
(ÍÏÎ "Èíòåãðàë", ã. Ìèíñê), ê. ô.-ì. í. Â. Â. ÊÎÂÀËÜ×ÓÊ
(Þæíîóêð. ïåä. óí-ò èì. Ê. Ä. Óøèíñêîãî, ã. Îäåññà)
Ïîñòðîåíà ìîäåëü óïðóãèõ íàïðÿæåíèé
â ñèñòåìå Si�SiO2�Ta2O5. Íàéäåíî îï-
òèìàëüíîå ñî÷åòàíèå ñëîåâ, îáåñïå-
÷èâàþùåå íåíàïðÿæåííîå ñîñòîÿíèå
ñèñòåìû.
Äèýëåêòðèêè ÿâëÿþòñÿ îñíîâíûì ýëåìåíòîì êîí-
äåíñàòîðîâ èíòåãðàëüíûõ ñõåì, îïðåäåëÿþùèì èõ ïà-
ðàìåòðû è ñâîéñòâà. Ìàòåðèàë äèýëåêòðèêà äîëæåí
îáëàäàòü âûñîêîé ýëåêòðè÷åñêîé ïðî÷íîñòüþ, ìàëû-
ìè äèýëåêòðè÷åñêèìè ïîòåðÿìè, èìåòü âûñîêóþ äèý-
ëåêòðè÷åñêóþ ïðîíèöàåìîñòü [1].
Ìíîãîñëîéíûå äèýëåêòðèêè, áëàãîäàðÿ âîçìîæ-
íîñòè óñèëåíèÿ ïðåèìóùåñòâ îäíîãî äèýëåêòðèêà â
êîìáèíàöèè ñ äðóãèì è ìíîãîâàðèàíòíîñòè òàêèõ êîì-
áèíàöèé, ñòàíîâÿòñÿ ïðåäïî÷òèòåëüíûìè â êîíñòðóè-
ðîâàíèè è òåõíîëîãèè ïðîèçâîäñòâà áûñòðîäåéñòâó-
þùèõ ýëåìåíòîâ ïàìÿòè [2]. Îñîáîãî âíèìàíèÿ çà-
ñëóæèâàþò ïëåíêè Ta2O5 â êîìáèíàöèè ñ äðóãèìè
äèýëåêòðèêàìè. Ta2O5 èìååò äèýëåêòðè÷åñêóþ ïðî-
íèöàåìîñòü 21�27, äîñòàòî÷íî áîëüøóþ øèðèíó çàï-
ðåùåííîé çîíû (4,2 ýÂ), ýëåêòðè÷åñêóþ ïðî÷íîñòü
6·106 Â/cì. Êðîìå òîãî, óñòàíîâëåíà õîðîøàÿ âîñ-
ïðîèçâîäèìîñòü ïðîöåññîâ ôîðìèðîâàíèÿ Ta2O5 è
ñî÷åòàåìîñòü ñ SiO2 [3]. Òàêèå õàðàêòåðèñòèêè ïëåíîê
Ta2O5 ïðèâëåêàþò ðàçðàáîò÷èêîâ èíòåãðàëüíûõ ñõåì.
Âìåñòå ñ òåì óñïåøíîå ïðèìåíåíèå êîìáèíèðîâàííîãî
äèýëåêòðèêà Ta2O5/SiO2 òðåáóåò äîïîëíèòåëüíîãî èçó-
÷åíèÿ ðÿäà âîïðîñîâ, â ÷èñëå êîòîðûõ îñîáîãî âíèìà-
íèÿ çàñëóæèâàþò îñòàòî÷íûå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿæå-
íèÿ â ìíîãîñëîéíûõ òîíêîïëåíî÷íûõ ñèñòåìàõ.
 ðàáîòå áûëè èññëåäîâàíû ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿ-
æåíèÿ â ñèñòåìå Si�SiO2�Ta2O5. Äëÿ ýòîãî íà îá-
ðàçöàõ ñ ðàçëè÷íûì íàáîðîì òîëùèí ïëåíîê SiO2 è
Ta2O5 ìåòîäîì ðåíòãåíîâñêîé äèôðàêöèè èçìåðÿëñÿ
ðàäèóñ êðèâèçíû ïëàñòèí (ðèñ. 1). Èç ãðàôèêîâ âèä-
íî, ÷òî ñ ðîñòîì òîëùèíû Ta2O5 ïðè ïîñòîÿííîì çíà-
÷åíèè SiO2 êðèâèçíà ñèñòåìû ìåíÿåòñÿ.
Òåìïåðàòóðíûé êîýôôèöèåíò ðàñøèðåíèÿ (ÒÊÐ)
êðåìíèÿ ðàâåí 4,8·10�6 °Ñ�1, ÒÊÐ SiO2 ñîñòàâëÿåò
0,5·10�6 °Ñ�1, à ÒÊÐ Ta2O5 � áîëüøå è ðàâåí
7,2·10�6 °Ñ�1. Ïîýòîìó çíàêè âîçíèêàþùèõ íàïðÿæå-
íèé â ñèñòåìàõ Si�SiO2 è Si�Ta2O5 èìåþò ïðîòèâî-
ïîëîæíûå çíà÷åíèÿ.  ñâÿçè ñ ýòèì ìîæíî ïðåäïî-
ëîæèòü, ÷òî èìååòñÿ íåêîòîðîå îïòèìàëüíîå ñîîòíî-
øåíèå òîëùèí ñëîåâ SiO2 è Ta2O5, ïðè êîòîðûõ ðà-
äèóñ êðèâèçíû ñèñòåìû Si�SiO2�Ta2O5 ñòðåìèòñÿ
ê áåñêîíå÷íîñòè, à êðèâèçíà ñèñòåìû ñòàíîâèòñÿ ðàâ-
íîé íóëþ, ò. å. ñèñòåìà áóäåò íàõîäèòüñÿ â íåíàïðÿ-
æåííîì ñîñòîÿíèè.
Ïåðåéäåì ê ïîñòðîåíèþ ìîäåëè óïðóãèõ íàïðÿ-
æåíèé â ñèñòåìå Si�SiO2�Ta2O5.
Ïðè âûâîäå óðàâíåíèÿ èçãèáà ñèñòåìû áóäåì ñ÷è-
òàòü, ÷òî îñíîâíîé âêëàä â èçãèá âíîñÿò ïðîöåññû
îñàæäåíèÿ SiO2 è Ta2O5, ÷òî ïîçâîëÿåò ïðèìåíÿòü ê
êðåìíèåâûì ñòðóêòóðàì òåîðèþ èçãèáà òðåõñëîéíûõ
ñòðóêòóð. Ïðè ýòîì ñäåëàíû ñëåäóþùèå ïðåäïîëî-
æåíèÿ:
� êàæäûé ñëîé õîðîøî ñâÿçàí ñ äðóãèìè ñëîÿ-
ìè ñèñòåìû;
� òîëùèíû ñëîåâ è âñåé òðåõñëîéíîé ñèñòåìû
ãîðàçäî ìåíüøå ëèíåéíûõ ðàçìåðîâ îáðàçöà;
� êàæäûé ñëîé íàõîäèòñÿ â ñîñòîÿíèè ïëîñêîãî
íàïðÿæåíèÿ, è ìîäóëè Þíãà ñëîåâ íå ñòðåìÿòñÿ ê
íóëþ;
� ïëàñòèíà äåôîðìèðóåòñÿ ïî ñôåðå, ñå÷åíèÿ îñ-
òàþòñÿ ïëîñêèìè;
� äåôîðìàöèè â ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîì êðåìíèè,
äâóîêèñè êðåìíèÿ è îêñèäå òàíòàëà, â îñíîâíîì, îï-
ðåäåëÿþòñÿ òåðìè÷åñêèìè íàïðÿæåíèÿìè;
� äåôîðìàöèÿ êàæäîãî ñëîÿ ÿâëÿåòñÿ óïðóãîé,
ò. å. ðåëàêñàöèÿ íàïðÿæåíèé îòñóòñòâóåò.
Ñóùåñòâóþò äâà óñëîâèÿ ðàâíîâåñèÿ äëÿ âñåõ
âíóòðåííèõ ñèë, äåéñòâóþùèõ íà ïîïåðå÷íîå ñå÷å-
íèå òðåõñëîéíîé ñèñòåìû:
1) ñóììà âñåõ íîðìàëüíûõ ñèë ê ñå÷åíèþ ïëàñ-
òèíû ðàâíà íóëþ;
2) ñóììà ìîìåíòîâ âñåõ íîðìàëüíûõ ñèë îòíîñè-
òåëüíî ãðàíè÷íîãî ñëîÿ ðàâíà íóëþ [4]:
Ó×ÅÒ ÌÅÕÀÍÈ×ÅÑÊÈÕ ÍÀÏÐßÆÅÍÈÉ
 ÊÎÌÁÈÍÈÐÎÂÀÍÍÛÕ ÄÈÝËÅÊÒÐÈÊÀÕ
ÄËß ÊÎÍÄÅÍÑÀÒÎÐÎÂ ÑÁÈÑ
Ä. ò. í. Â. À. ÏÈËÈÏÅÍÊÎ, ê. ô.-ì. í. Â. Í. ÏÎÍÎÌÀÐÜ,
Ò. Â. ÏÅÒËÈÖÊÀß
Áåëàðóñü, ã. Ìèíñê, ÍÏÎ "Èíòåãðàë"
E-mail: belms@ belms.belpak.minsk.by
Ðèñ. 1. Ýêñïåðèìåíòàëüíàÿ çàâèñèìîñòü èçìåíåíèÿ êðè-
âèçíû ñèñòåìû Si�SiO2�Ta2O5 îò òîëùèíû ïëåíêè
Ta2O5 ïðè ðàçëè÷íûõ çíà÷åíèÿõ òîëùèíû ïëåíêè SiO2:
1 � 100 íì; 2 � 40 íì; 3 � 80 íì
5 10 15 20
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0
1/
ρ,
ì
�1
Òîëùèíà ïëåíêè Òà2Î5, íì
3
2
1
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2003, ¹ 1
20
ÏÐÎÅÊÒÈÐÎÂÀÍÈÅ. ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
+
ρ
+∆−ε
ν−
+
ρ
+∆−ε
ν− ∫∫
− 2
1 0
20
0
2
2
10
1
1 )(
1
)(
1
h
h
dy
yE
dy
yE
∫
+−
−
=
ρ
+∆−ε
ν−
+
)(
30
3
3
32
2
;0)(
1
hh
h
dy
yE
(1)
+
ρ
+∆−ε
ν−
+
ρ
+∆−ε
ν− ∫∫
− 2
1 0
20
0
2
2
10
1
1 )(
1
)(
1
h
h
ydy
yE
ydy
yE
∫
+−
−
=
ρ
+∆−ε
ν−
+
)(
30
3
3
32
2
,0)(
1
hh
h
ydy
yE
(2)
Ïîñëå èíòåãðèðîâàíèÿ è ñ ó÷åòîì, ÷òî h2 è h3 çíà-
÷èòåëüíî ìåíüøå h1, ïîëó÷àåì óïðîùåííóþ ôîðìó-
ëó äëÿ ðàñ÷åòà ðàäèóñà êðèâèçíû ïîäëîæêè:
( )( )
( )
( )( )
( )
−
∆−∆−+
−
∆−∆−=
311
31133
211
21122
1 í1
í1
í1
í16
ñ
1
hE
hE
hE
hE
h . (3)
Ïðåäñòàâëÿë èíòåðåñ ðàñ÷åò óïðóãèõ ïîñòîÿííûõ
ïëåíêè Ta2O5. Äëÿ ðàñ÷åòà êîýôôèöèåíòîâ Å3/(1 � ν3)
áûëî èñïîëüçîâàíî âûðàæåíèå (3) è ïîëó÷åííûå
âûøå ýêñïåðèìåíòàëüíûå äàííûå. Ïîäñòàâëÿÿ â ôîð-
ìóëó (3) ïîî÷åðåäíî çíà÷åíèÿ ρ, ∆1, ∆2, ∆3, h2, h3,
äëÿ âñåõ èññëåäîâàííûõ ñî÷åòàíèé òîëùèí ñëîåâ
ïîëó÷èëè ñðåäíåå çíà÷åíèå Å3/(1�ν3), êîòîðîå ñîñòàâ-
ëÿåò 5,9·1011 Ïà.
Íà ðèñ. 2 ïðåäñòàâëåí ãðàôèê çàâèñèìîñòè êðè-
âèçíû ñèñòåìû Si�SiO2�Ta2O5 îò òîëùèíû ïëåíîê
SiO2 è Ta2O5.
Äëÿ óñòàíîâëåíèÿ îïòèìàëüíîãî ñîîòíîøåíèÿ òîë-
ùèí ïëåíîê SiO2, è Ta2O5, ïðè êîòîðûõ êðèâèçíà ïëà-
ñòèíû ñòàíîâèòñÿ ìèíèìàëüíîé, âîñïîëüçóåìñÿ ðà-
íåå ïîñòðîåííîé ìîäåëüþ, îïèñûâàþùåé çàâèñèìîñòü
ìîäóëü Þíãà äëÿ Si, SiO2, Ta2O5, ñîîòâåòñòâåííî;
êîýôôèöèåíò Ïóàññîíà äëÿ Si, SiO2, Ta2O5, ñîîò-
âåòñòâåííî;
òîëùèíà êðåìíèåâîé ïîäëîæêè;
äåôîðìàöèÿ ãðàíè÷íîãî ñëîÿ;
òåìïåðàòóðíàÿ óñàäêà ñëîÿ, ∆i= αiÒi;
êîýôôèöèåíò ëèíåéíîãî ðàñøèðåíèÿ i-ãî ñëîÿ;
òåìïåðàòóðà ôîðìèðîâàíèÿ i-ãî ñëîÿ;
ïàðàìåòð èíòåãðèðîâàíèÿ òîëùèíû ïëåíêè;
ðàäèóñ êðèâèçíû âñåé ñèñòåìû;
òîëùèíà ïëåíêè SiO2;
òîëùèíà ïëåíêè Ta2O5.
ãäå Å1, Å2, Å3 �
ν1, ν2, ν3 �
h1 �
ε0 �
∆1, ∆2, ∆3 �
αi �
Ti �
y �
ρ �
h2 �
h3 �
0,010
0,005
0,000
�0,005
�0,010
�0,015
�0,02010 20 30 40 50 50 1
00
200
300
400
1/ρ, ì�1
Òîëùèíà Òà2Î5, íì Òîëùèíà SiÎ2, íì
Ðèñ. 2. Çàâèñèìîñòü èçìåíåíèÿ êðèâèçíû ñèñòåìû Si �
SiO2�Ta2O5 îò òîëùèíû äèýëåêòðèêîâ
ðàäèóñà êðèâèçíû îò òîëùèíû ïëåíîê, ò. å. âûðàæå-
íèåì (3), íî òåïåðü ëåâóþ ÷àñòü âûðàæåíèÿ ïðèðàâ-
íÿåì íóëþ.  ðåçóëüòàòå ïðåîáðàçîâàíèé è ðàñ÷åòîâ
ïîëó÷àåì, ÷òî ïðè ñîîòíîøåíèè òîëùèí ïëåíîê
h2/ h3=9,78 ñèñòåìà Si�SiO2�Ta2O5 íàõîäèòñÿ â íå-
íàïðÿæåííîì ñîñòîÿíèè.
***
Òàêèì îáðàçîì, êàê ïîêàçàëè èññëåäîâàíèÿ, ïðè
èñïîëüçîâàíèè ìíîãîñëîéíûõ äèýëåêòðèêîâ äëÿ èç-
ãîòîâëåíèÿ êîíäåíñàòîðîâ ÑÁÈÑ ìîãóò ó÷èòûâàòüñÿ
(è ðåãóëèðîâàòüñÿ) îñòàòî÷íûå ìåõàíè÷åñêèå íàïðÿ-
æåíèÿ â ìíîãîñëîéíûõ ñèñòåìàõ. Òàê, â ñèñòåìå Si
� SiO2 � Ta2O5 ðàäèóñ êðèâèçíû ïëàñòèíû ñî ñôîð-
ìèðîâàííûìè äèýëåêòðèêàìè áóäåò ñòðåìèòüñÿ ê áåñ-
êîíå÷íîñòè, à ñàìà êðèâèçíà � ê íóëþ, åñëè çàëî-
æèòü â ñèñòåìå ñîîòíîøåíèå òîëùèíû ïëåíîê Ta2O5
è SiO2 êàê 1:10.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ãîðåëèê Ñ. Ñ. Ìàòåðèàëîâåäåíèå ïîëóïðîâîäíèêîâ è äè-
ýëåêòðèêîâ.� Ì.: Ìåòàëëóðãèÿ, 1988.
2. Ðåç È. Ñ., Ïîïëàâêî Þ. Ì. Äèýëåêòðèêè. Îñíîâíûå ñâîéñòâà
è ïðèìåíåíèÿ â ìèêðîýëåêòðîíèêå.� Ì.: Ðàäèî è ñâÿçü, 1989.
3 Shunji Seki, Takashi Unagami, Bunjiro Tsujiyama. Electrical
characteristics of the RF magnetron-sputtered tantalum pentoxide-
silicon interface // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and
technology.� 1987.� Vol. 131, N 11.� P. 2621 � 2625.
4. Ëàíäàó Ë. Ä., Ëèôøèö Å. Ì. Òåîðèÿ óïðóãîñòè.� Ì.: Ôèç-
ìàò, 1966.
ÈÍÔÎÐÌÀÖÈß ÄËß ÏÎÄÏÈÑ×ÈÊΠ ÐÎÑÑÈÈ
Ðåäàêöèÿ æóðíàëà
"Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå"
ñîîáùàåò, ÷òî íà âòîðîå ïîëóãîäèå 2003 ã.
ïîäïèñêà áóäåò ïðîèçâîäèòüñÿ ïî Îáúåäèíåííîìó êàòàëîãó
"Ïðåññà Ðîññèè"
(ïîäïèñíîé èíäåêñ 71141)
|
| id | oai:tkea.com.ua:article-1302 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-07-03T01:00:50Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/22/682f4a96f81e5fd4b676942c7c756622.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-13022026-07-02T13:33:03Z Accounting for mechanical stresses in combined dielectrics for VLSI capacitors Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС Pilipenko, V. A. Ponomar, V. N. Petlitskaya, T. V. combined dielectric VLSI capacitors tantalum pentoxide комбинированный диэлектрик конденсаторы СБИС пентаоксид тантала A variant of a combined capacitor dielectric based on tantalum pentoxide for VLSI capacitors is proposed. To find the optimal combination of layers in which the Si—SiO₂—Ta₂O₅ system does not undergo elastic mechanical deformation, a stress model was constructed. Calculations showed that when the thickness ratio of Ta₂O₅ and SiO₂ films is 1:10, the curvature radius of the plate with formed dielectrics tends to infinity, and the curvature itself approaches zero. Elastic constants for the Ta₂O₅ film were also calculated. Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO2 — Ta2O5 не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta2O5 и SiO2 как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна — к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta2O5. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.19 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 19-20 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 19-20 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.19/1202 Copyright (c) 2003 V. A. Pilipenko, V. N. Ponomar, T. V. Petlitskaya http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | комбинированный диэлектрик конденсаторы СБИС пентаоксид тантала Pilipenko, V. A. Ponomar, V. N. Petlitskaya, T. V. Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_alt | Accounting for mechanical stresses in combined dielectrics for VLSI capacitors |
| title_full | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_fullStr | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_full_unstemmed | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_short | Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС |
| title_sort | учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов сбис |
| topic | комбинированный диэлектрик конденсаторы СБИС пентаоксид тантала |
| topic_facet | combined dielectric VLSI capacitors tantalum pentoxide комбинированный диэлектрик конденсаторы СБИС пентаоксид тантала |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.19 |
| work_keys_str_mv | AT pilipenkova accountingformechanicalstressesincombineddielectricsforvlsicapacitors AT ponomarvn accountingformechanicalstressesincombineddielectricsforvlsicapacitors AT petlitskayatv accountingformechanicalstressesincombineddielectricsforvlsicapacitors AT pilipenkova učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis AT ponomarvn učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis AT petlitskayatv učetmehaničeskihnaprâženijvkombinirovannyhdiélektrikahdlâkondensatorovsbis |