Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
The influence of radiation absorption in InSb quantum dots (QDs) on the efficiency of GaSb‑based thermophotovoltaic (TPV) elements has been investigated. It is shown that the introduction of QDs significantly expands the spectral range of photosensitivity and increases the efficiency of TPV elements...
Збережено в:
| Дата: | 2003 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.46 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2019)
Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bondar, V. M., та інші
Опубліковано: (2019)
Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)
Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2004)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
за авторством: Linnik, L.F., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Linnik, L.F., та інші
Опубліковано: (2022)
Laser – induced donor centers in p-InSb
за авторством: Fedorenko, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Fedorenko, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)
АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Городний , А.Н.
Опубліковано: (2012)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)