Buchumschlag

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

The influence of radiation absorption in InSb quantum dots (QDs) on the efficiency of GaSb‑based thermophotovoltaic (TPV) elements has been investigated. It is shown that the introduction of QDs significantly expands the spectral range of photosensitivity and increases the efficiency of TPV elements...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Andronova, E. V., Baganov, E. A., Dalechin, A. Yu., Karmanny, A. Yu.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	квантовые точки InSb термофотовольтаические преобразователи GaSb спектральный диапазон фоточувствительность эффективность оптические переходы легирование
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.46
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Деформаційно-стимульовані ефекти в мікроструктурах антимоніду індію за кріогенних температур для сенсорних застосувань
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Поляризацiйнi залежностi випромiнювання гарячими носiями в InSb
von: Bondar, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Рекомбінація та прилипання нерівноважних носіїв в n-InSb
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

GaSb whiskers in sensor electronics
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2018)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Berry phase in strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
von: Druzhinin, A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
von: Сукач, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: G. V. Beketov, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
von: Beketov, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
von: Linnik, L.F., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Laser – induced donor centers in p-InSb
von: Fedorenko, L., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
von: N. Liakh-Kaguy, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

АНАЛИЗ МОЩНОСТИ РАССЕИВАНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ В ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНОМ И КВАЗИРЕЗОНАНСНОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
von: Городний , А.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
von: Омельчук, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2008)