Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

• Дата: 2003
• Автори: Andronova, E. V., Baganov, E. A., Dalechin, A. Yu., Karmanny, A. Yu.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Теми: квантовые точки InSb; термофотовольтаические преобразователи; GaSb; спектральный диапазон; фоточувствительность; эффективность; оптические переходы; легирование
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.46
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The influence of radiation absorption in InSb quantum dots (QDs) on the efficiency of GaSb‑based thermophotovoltaic (TPV) elements has been investigated. It is shown that the introduction of QDs significantly expands the spectral range of photosensitivity and increases the efficiency of TPV elements...