Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Andronova, E. V., Baganov, E. A., Dalechin, A. Yu., Karmanny, A. Yu.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
• Schlagworte: квантовые точки InSb; термофотовольтаические преобразователи; GaSb; спектральный диапазон; фоточувствительность; эффективность; оптические переходы; легирование
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.46
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The influence of radiation absorption in InSb quantum dots (QDs) on the efficiency of GaSb‑based thermophotovoltaic (TPV) elements has been investigated. It is shown that the introduction of QDs significantly expands the spectral range of photosensitivity and increases the efficiency of TPV elements...