Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування

The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	Litvinenko, V., Vikulin, I., Gorbachev, V.
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019
Schlagworte:	гетерування зворотний струм діод Шотткі домішки окислювальні дефекти упакування
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.1-2.34
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-133
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-1332025-05-30T19:26:33Z Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування Litvinenko, V. Vikulin, I. Gorbachev, V. gettering reverse current Schottky diode impurities, oxidation stacking faults гетерування зворотний струм діод Шотткі домішки окислювальні дефекти упакування The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield. Діоди Шотткі (ДШ) широко використовуються в багатьох областях електроніки як випрямні діоди невеликої та середньої потужності, а також як імпульсні діоди. При цьому вартість ДШ залишається порівняно високою через низький вихід придатних приладів, що пояснюється високим рівнем зворотних струмів і низькою, в порівнянні з p—n-переходами, пробивною напругою. Ці явища пов'язані з істотною залежністю зворотних струмів ДШ від якості поверхні діодних структур і впливом на них структурних дефектів і сторонніх домішок.У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окиснювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окиснення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини.У порівнянні з базовою технологією виготовлення структур ДШ показано, що розроблена технологія із застосуванням гетерування структурно-домішкових дефектів дозволяє запобігти утворенню окиснювальних дефектів упаковки в активних областях діодів і поліпшити стан поверхні діодних структур, що дає можливість знизити рівень зворотних струмів діодів і, як наслідок, істотно (до 10%) підвищити вихід придатних приладів. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2019-04-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.1-2.34 10.15222/TKEA2019.1-2.34 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2019): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 34-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2019): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 34-39 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2019.1-2 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.1-2.34/122 Copyright (c) 2019 Litvinenko V. N., Vikulin I. М., Gorbachev V. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:26:33Z
collection	OJS
language	English
topic	гетерування зворотний струм діод Шотткі домішки окислювальні дефекти упакування
spellingShingle	гетерування зворотний струм діод Шотткі домішки окислювальні дефекти упакування Litvinenko, V. Vikulin, I. Gorbachev, V. Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
topic_facet	gettering reverse current Schottky diode impurities oxidation stacking faults гетерування зворотний струм діод Шотткі домішки окислювальні дефекти упакування
format	Article
author	Litvinenko, V. Vikulin, I. Gorbachev, V.
author_facet	Litvinenko, V. Vikulin, I. Gorbachev, V.
author_sort	Litvinenko, V.
title	Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
title_short	Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
title_full	Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
title_fullStr	Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
title_full_unstemmed	Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування
title_sort	поліпшення зворотних характеристик діода шотткі при використанні гетерування
title_alt	Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
description	The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2019
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2019.1-2.34
work_keys_str_mv	AT litvinenkov improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT vikulini improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT gorbachevv improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT litvinenkov polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ AT vikulini polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ AT gorbachevv polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ
first_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:25Z
_version_	1850410213230772224

Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування

Institution

Ähnliche Einträge