Конструктивно-технологические ограничения при проектировании высоковольтных КМОП БИС

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2002
• Heft: 6
• Сторінки: 48-53
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: V. H. Verbytskyi — Institute of Microdevices of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; V. I. Zolotarevskyi — Institute of Microdevices of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; Yu. Ye. Nikolaienko — Institute of Microdevices of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; L. I. Samotovka — Institute of Microdevices of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine; E. S. Tovmach — Institute of Microdevices of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
• Hauptverfasser: Verbytskyi, V. H., Zolotarevskyi, V. I., Nikolaienko, Yu. Ye., Samotovka, L. I., Tovmach, E. S.
• Format: Artikel
• Sprache: Vietnamesisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Schlagworte: высоковольтные КМОП БИС; конструктивно-технологические ограничения; аналоговые ключи; коммутаторы; защита схем
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.48
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Some design features regarding ensuring the proper functioning of high-voltage CMOS LSI analog switches with control and commutators by protecting the electrical circuit that performs a given functional purpose from both internal (within the CMOS LSI) and external destabilizing factors are considere...