Зображення обкладинки

Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect t...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2002
Випуск:6
Сторінки:57-63
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • S. P. Novosiadlyi — Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine
Автор: Novosiadlyi, S. P.
Формат: Стаття
Мова:Валлійська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:
плазменная технология
субмикронные структуры
БИС
осаждение и травление
гомоэпитаксия
дефектность
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.57
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect the charge state of the Si—SiO₂ interface, and creates favorable conditions for low-temperature (<700°C) homoepitaxy of monosilicon and polysilicon on a Si substrate of any orientation type.
ISSN:3083-6549

Схожі ресурси