Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2002
• Heft: 6
• Сторінки: 57-63
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: S. P. Novosiadlyi — Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine
• 1. Verfasser: Novosiadlyi, S. P.
• Format: Artikel
• Sprache: Walisisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Schlagworte: плазменная технология; субмикронные структуры; БИС; осаждение и травление; гомоэпитаксия; дефектность
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.57
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect t...