Плазменная технология формирования субмикронных структур БИС

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2002
• Випуск: 6
• Сторінки: 57-63
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: S. P. Novosiadlyi — Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine
• Автор: Novosiadlyi, S. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Валлійська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Теми: плазменная технология; субмикронные структуры; БИС; осаждение и травление; гомоэпитаксия; дефектность
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.6.57
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

High-frequency plasma processes for the deposition and etching of functional layers during the formation of LSI structures with topological dimensions of 0.5–0.8 μm are investigated. The technology ensures minimal induced defect density of functional layers (<0.05 cm⁻²), does not affect t...