Buchumschlag

Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине

A comparative analysis of the current state of production technology and the consumption market of quartz glass-based fiber-optic materials (silicon tetrachloride, germanium tetrachloride, metallurgical-grade silicon) and semiconductor compounds (gallium arsenide and metallic gallium) in Ukraine and...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Datum:	2002
Heft:	4–5
Сторінки:	3-7
ISSN:	3083-6549
Автори та афіліації:	Yu. V. Trubitsyn — State Research and Design Institute of Titanium, Zaporizhzhia, Ukraine D. I. Levynzon — Humanitarian University "ZIGMU", Zaporizhzhia, Ukraine
Hauptverfasser:	Trubitsyn, Yu. V., Levynzon, D. I.
Format:	Artikel
Sprache:	yo
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Schlagworte:	оптоволоконные материалы полупроводниковые соединения кварцевое стекло арсенид галлия металлургический кремний
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.03
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине
von: Трубицын, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Terletskaya, L. L., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Berishvili, Z. V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

У истоков сверхмалошумящей техники СВЧ
von: Chmil, V. M.
Veröffentlicht: (2003)

Активное термостатирование полупроводниковых СВЧ-генераторов
von: Кравченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Рассмотрены процессы получения микросварных соединений повышенной плотности в 3D интегральных схемах термозвуковой микросваркой, включающие использование повышенных частот ультразвука, применение микроинструмента с утонением рабочего торца и прецизион
von: Lanin, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Производство полупроводниковых датчиков электрохимической сваркой
von: Хоменко, Н.Н.
Veröffentlicht: (2001)

Компьютерное моделирование флуктуационных преобразований в полупроводниковых барьерах
von: Golovko, A. G.
Veröffentlicht: (2004)

Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2001)

Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Применение бессвинцового стекла в толстопленочных терморезистивных материалах
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок
von: Klyukanov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс"
von: Savytskyi, H. V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

"Электронный нос" на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

КОНЦЕПЦИЯ ПОСТРОЕНИЯ ЕМКОСТНЫХ ЗАРЯДНЫХ УЗЛОВ МАГНИТНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

КОНЦЕПЦИЯ ПОСТРОЕНИЯ ЕМКОСТНЫХ ЗАРЯДНЫХ УЗЛОВ МАГНИТНО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Осаждение ЭДТА из комплексных растворов тяжелых металлов и его регенерирование
von: Gyliene, O., et al.
Veröffentlicht: (2004)