Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Through modeling and experimental studies, it is shown that a multi-order increase in the channel current of a gallium arsenide field-effect transistor under the influence of γ-radiation is caused by the appearance of secondary currents in the substrate that are comparable to the currents in the fil...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
|---|---|
| Datum: | 2002 |
| Heft: | 4–5 |
| Сторінки: | 13-15 |
| ISSN: | 3083-6549 |
| Автори та афіліації: |
|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | yo |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2002
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |
|
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1874002070719168512 |
|---|---|
| author | Kasimov, F. D. Liutfalibekova, A. E. |
| author_facet | Kasimov, F. D. Liutfalibekova, A. E. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "F. D. Kasimov",
"institution": "Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan",
"orcid": ""
},
{
"author": "A. E. Liutfalibekova",
"institution": "Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan",
"orcid": ""
}
] |
| author_sort | Kasimov, F. D. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| container_end_page | 15 |
| container_issue | 4–5 |
| container_start_page | 13 |
| container_title | Технологія та конструювання в електронній апаратурі |
| container_volume | |
| datestamp_date | 2026-08-19T09:54:56Z |
| description | Through modeling and experimental studies, it is shown that a multi-order increase in the channel current of a gallium arsenide field-effect transistor under the influence of γ-radiation is caused by the appearance of secondary currents in the substrate that are comparable to the currents in the film.
|
| first_indexed | 2026-08-20T01:00:43Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
13
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
ÂËÈßÍÈÅ γ-ÈÇËÓ×ÅÍÈß ÍÀ ÒÎÊÎÏÅÐÅÍÎÑ
 ÀÐÑÅÍÈÄÃÀËËÈÅÂÎÌ ÏÎËÅÂÎÌ ÒÐÀÍÇÈÑÒÎÐÅ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
10.01 2002 ã.
Îïïîíåíò ê. ò. í. Â. À. ÇÀÂÀÄÑÊÈÉ
(ÎÍÌÀ, ã. Îäåññà)
Ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌÎÂ, À. Ý. ËÞÒÔÀËÈÁÅÊÎÂÀ
Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, ÎÊÁ êîñìè÷åñêîãî ïðèáîðîñòðîåíèÿ
E-mail: anasa.ssddb@azeuro.net
Óâåëè÷åíèå òîêà íà íåñêîëüêî ïîðÿäêîâ
â êàíàëå àðñåíèäãàëëèåâîãî ïîëåâîãî
òðàíçèñòîðà îáóñëîâëåíî ïîÿâëåíèåì â
ïîäëîæêå âòîðè÷íûõ òîêîâ, ñðàâíèìûõ
ñ òîêàìè â ïëåíêå.
Ðàçðàáîòêà ïðèáîðîâ äëÿ èññëåäîâàíèÿ Çåìëè èç
êîñìîñà, ïðîâîäèâøàÿñÿ â ïîñëåäíèå äåñÿòèëåòèÿ â
Àçåðáàéäæàíñêîì íàöèîíàëüíîì àýðîêîñìè÷åñêîì
àãåíòñòâå (áûâøåì ÍÏÎ êîñìè÷åñêèõ èññëåäîâàíèé
Ãëàâêîñìîñà ÑÑÑÐ), âûçâàëà íåîáõîäèìîñòü ïîâû-
øåíèÿ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè àïïàðàòóðû. Â ñâÿçè
ñ ýòèì âîçðîñ èíòåðåñ ê èçó÷åíèþ âëèÿíèÿ èîíèçè-
ðóþùåãî èçëó÷åíèÿ íà ýëåêòðîôèçè÷åñêèå ñâîéñòâà
àðñåíèäà ãàëëèÿ è íà ïàðàìåòðû ïðèáîðîâ íà åãî îñ-
íîâå, ïîñêîëüêó ÈÑ íà GaAs îáëàäàþò áîëåå âûñî-
êîé ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòüþ ïî ñðàâíåíèþ ñ êðåì-
íèåâûìè [1, 2].
Ïîä äåéñòâèåì èîíèçèðóþùèõ èçëó÷åíèé â çàâè-
ñèìîñòè îò èõ ýíåðãèè è âèäà â ïîëóïðîâîäíèêîâîì
ìàòåðèàëå âîçíèêàþò ðàäèàöèîííûå äåôåêòû, âñëåä-
ñòâèå ÷åãî èçìåíÿþòñÿ åãî ýëåêòðîôèçè÷åñêèå õàðàê-
òåðèñòèêè, òàêèå êàê êîíöåíòðàöèÿ ñâîáîäíûõ íîñè-
òåëåé çàðÿäà, èõ ïîäâèæíîñòü, âðåìÿ æèçíè íîñèòå-
ëåé, äèôôóçèîííàÿ äëèíà. Äëÿ óìåíüøåíèÿ òàêèõ íå-
æåëàòåëüíûõ ïîñëåäñòâèé íåîáõîäèìî èìåòü ïðåäñòàâ-
ëåíèå î ìåõàíèçìå ðàäèàöèîííûõ íàðóøåíèé, ê êî-
òîðûì â îñíîâíîì îòíîñÿòñÿ ñìåùåíèå àòîìîâ èç óç-
ëîâ ðåøåòêè è èõ èîíèçàöèÿ [3].
Îäíàêî, êàê èçâåñòíî, îäíîé èç îñíîâíûõ òåíäåí-
öèé â òâåðäîòåëüíîé ýëåêòðîíèêå ÿâëÿåòñÿ óìåíüøå-
íèå òîëùèíû ïëåíîê, â êîòîðûõ èçãîòàâëèâàþòñÿ àê-
òèâíûå ýëåìåíòû ÈÑ [4], è äëÿ òîíêîïëåíî÷íûõ ñòðóê-
òóð, â îòëè÷èå îò îáúåìíûõ, íå ìåíåå âàæíûì ÿâëÿ-
þòñÿ ïðîöåññû, ñâÿçàííûå ñ ïîäëîæêîé è ïåðåõîäîì
"ïëåíêà�ïîäëîæêà", ïîñêîëüêó äåéñòâèå èçëó÷åíèÿ
íà íèõ ïðèâîäèò ê âîçíèêíîâåíèþ äîïîëíèòåëüíûõ
òîêîâ óòå÷åê ÷åðåç ïîäëîæêó è ýôôåêòàì ìîäóëÿöèè
òîëùèíû êàíàëà [5].
 êðåìíèåâûõ ýïèòàêñèàëüíûõ ñòðóêòóðàõ îáëàñòü
ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà (ÎÏÇ) ðàñïîëàãàåòñÿ, â îñíîâ-
íîì, â ïîäëîæêå âñëåäñòâèå åå áîëåå âûñîêîãî óäåëüíî-
ãî ñîïðîòèâëåíèÿ, è åå ðîëü ñâîäèòñÿ ê âûñîêîîìíîìó
øóíòó. Â àðñåíèäãàëëèåâûõ æå ïîäëîæêàõ, êàê áûëî íàìè
ïîêàçàíî â [6], íàëè÷èå ãëóáîêèõ ëîâóøåê ïðèâîäèò ê
îáðàçîâàíèþ íà ãðàíèöå ðàçäåëà "ïëåíêà�ïîäëîæêà"
n�ν-ïåðåõîäà, ðàñïðîñòðàíÿþùåãîñÿ â ïëåíêó, ÷òî äå-
ëàåò òîëùèíó ÎÏÇ â íåé ñðàâíèìîé ñ òîëùèíîé ñàìîé
ïëåíêè. Ðàñ÷åò ìîäóëÿöèè ýòîé îáëàñòè â çàâèñèìîñòè
îò êîíöåíòðàöèè ãëóáîêèõ ëîâóøåê è åå âëèÿíèå íà ïðî-
öåññû òîêîïåðåíîñà â òîíêèõ ïëåíêàõ íà ïîëóèçîëèðóþ-
ùåé àðñåíèäãàëëèåâîé ïîäëîæêå èçó÷àëèñü íàìè â [7],
ãäå áûëî ïîêàçàíî, ÷òî åþ ïðåíåáðåãàòü íåëüçÿ. Àíàëî-
ãè÷íûå ïðîöåññû ìîãóò èìåòü ìåñòî è ïðè âîçäåéñòâèè
èîíèçèðóþùåãî èçëó÷åíèÿ (ïîñêîëüêó îíî ïîâûøàåò
êîíöåíòðàöèþ äåôåêòîâ), ïîýòîìó èññëåäîâàíèå âëèÿ-
íèÿ òîêîâ â ïîäëîæêå, íàâîäèìûõ èîíèçàöèåé, íà òîêî-
ïåðåíîñ â ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêå òàêæå èìååò âàæíîå
çíà÷åíèå.
Ïðè îáëó÷åíèè ýëåêòðîííûì ïó÷êîì ñ ýíåðãèåé >15 êýÂ
êàæäûé ïîïàâøèé íà îáðàçåö ýëåêòðîí ñîçäàåò áîëüøîå
êîëè÷åñòâî ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð (~3500) [8]. Îäíà-
êî ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàâøååñÿ ïðè ýòîì ñòàòè÷åñ-
êîå óñèëåíèå òîêà ïðåâûøàëî 107, ÷òî íà ÷åòûðå ïîðÿä-
êà áîëüøå ïåðâè÷íîãî òîêà, âîçíèêàþùåãî â ñòðóêòóðå
çà ñ÷åò ãåíåðàöèè ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð. Ñëåäîâà-
òåëüíî, îñíîâíîé âêëàä â óâåëè÷åíèå òîêà òîíêîïëåíî÷-
íîé ñòðóêòóðû ïðè îáëó÷åíèè åå ýëåêòðîíàìè âíîñèò
âòîðè÷íûé òîê.
Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî áîëüøèå âòîðè÷íûå òîêè, îáóñ-
ëîâëåííûå ìîäóëÿöèåé òîëùèíû êàíàëà, íàáëþäàþòñÿ
íå òîëüêî ïðè ýëåêòðîííîì îáëó÷åíèè, íî è ïðè âîçäåé-
ñòâèè γ-èçëó÷åíèÿ [9].
Äëÿ âûÿñíåíèÿ ìåõàíèçìà âîçíèêíîâåíèÿ âòîðè÷-
íîãî òîêà íàìè áûëî ïðîâåäåíî ìîäåëèðîâàíèå ïðî-
öåññîâ òîêîïåðåíîñà â ïîëåâîì òðàíçèñòîðå (ÏÒ) ñ
ó÷åòîì èçáûòî÷íûõ íîñèòåëåé çàðÿäà è â ïðåäïîëî-
æåíèè, ÷òî âñå äîíîðû èîíèçèðîâàíû è â ìàòåðèàëå
îòñóòñòâóþò ãëóáîêèå ëîâóøêè. Ïîñëåäíåå óñëîâèå
äîñòèãàëîñü ââåäåíèåì ìåæäó ïëåíêîé è ïîäëîæêîé
áóôåðíîãî ñëîÿ, êîòîðûé øèðîêî ïðèìåíÿåòñÿ äëÿ
óñòðàíåíèÿ âëèÿíèÿ ïîäëîæêè, ïðåïÿòñòâóÿ ïîïàäà-
íèþ ýëåêòðîíîâ èç ïëåíêè íà ãëóáîêèå ëîâóøêè ïîä-
ëîæêè [10]. Êîíöåíòðàöèÿ äîíîðîâ â ïëåíêå ïðèíè-
ìàëàñü ðàâíîé 1017 ñì�3, à â ïîäëîæêå � 1014 ñì�3,
ò. å. ôàêòè÷åñêè ðàññìàòðèâàëñÿ ïåðåõîäíûé ñëîé
"ïëåíêà�áóôåð".
Ðåçóëüòàòû ðàñ÷åòà ïîêàçàëè, ÷òî â ïîäçàòâîðíîé
îáëàñòè ïðîèñõîäèò ðàñøèðåíèå êàíàëà â ïîäëîæêó,
âñëåäñòâèå ÷åãî ïîÿâëÿåòñÿ âòîðè÷íûé òîê, êîòîðûé
è ÿâëÿåòñÿ ïðè÷èíîé ýêñïåðèìåíòàëüíî íàáëþäàåìî-
ãî âûñîêîãî óñèëåíèÿ òîêà.
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
14
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
Ïðè íàëè÷èè â ñòðóêòóðå p�n-ïåðåõîäà èëè áàðü-
åðà Øîòòêè, êîòîðûé ñëóæèò çàòâîðîì â ÏÒ, ýëåêò-
ðîííî-äûðî÷íûå ïàðû, âîçíèêàþùèå ïðè îáëó÷åíèè,
ñîáèðàþòñÿ îáëàñòüþ îáúåìíîãî çàðÿäà ïåðåõîäà,
ñîçäàâàÿ â öåïè çàòâîðà äîïîëíèòåëüíûé òîê:
Ig= eq0Pν ALc, (1)
Òàê êàê âêëàä â òîê èîíèçàöèè äàþò íîñèòåëè,
êîòîðûå âîçíèêàþò íà ðàññòîÿíèè, íå ïðåâûøàþùåì
äèôôóçèîííóþ äëèíó îò ÎÏÇ, òî äëÿ îáúåìíîãî ìà-
òåðèàëà èìååò ìåñòî ðàâåíñòâî
Lc=do+Lp+Ln, (2)
 òîíêîïëåíî÷íûõ ñòðóêòóðàõ ýôôåêòèâíàÿ òîë-
ùèíà ñîáèðàíèÿ îòëè÷àåòñÿ îò çíà÷åíèÿ Lc â îáúåì-
íîì ìàòåðèàëå â ñâÿçè ñ òåì, ÷òî ãåíåðàöèÿ ýëåêò-
ðîííî-äûðî÷íûõ ïàð ïðîèñõîäèò íå òîëüêî â àêòèâ-
íîé ïëåíêå, íî è â ïîäëîæêå. Íàëè÷èå n�ν-ïåðåõîäà
"ïëåíêà�ïîäëîæêà" ïðåïÿòñòâóåò ñîáèðàíèþ äûðîê
� âñëåäñòâèå ðàçäåëåíèÿ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð.
Îäíàêî ïðè ïðèëîæåíèè ê çàòâîðó òàêîãî íàïðÿæå-
íèÿ, ïðè êîòîðîì êàíàë ñòàíîâèòñÿ ïîëíîñòüþ îáåä-
íåííûì, âëèÿíèå n�ν-ïåðåõîäà îñëàáåâàåò, ãåíåðè-
ðóåìûå â ïîäëîæêå äûðêè òàêæå ñîáèðàþòñÿ íà çàò-
âîðå, è òîê â åãî öåïè ðàñòåò.
Òîêè óòå÷êè, âîçíèêàþùèå â ïîëóèçîëèðóþùåé
ïîäëîæêå ñ óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 107 Îì·ñì,
ýêñïåðèìåíòàëüíî èññëåäîâàëèñü ïðè âîçäåéñòâèè
îáëó÷åíèÿ íà ÏÒ ñ äëèíîé êàíàëà 3 ìêì. Ðåçóëüòàòû
èçìåðåíèé, ïîêàçàííûå íà ðèñ. 1, ïîä÷èíÿëèñü ïîëó-
ýìïèðè÷åñêîé ôîðìóëå, ñâÿçûâàþùåé òîê ÷åðåç ïîä-
ëîæêó ñ ìîùíîñòüþ ïîãëîùåííîé äîçû [5]:
Is=kWVdPν, (3)
Ïîäòâåðæäåíèåì òîãî, ÷òî èçìåðÿåìûé òîê ñâÿ-
çàí ñ òîêîì ÷åðåç ïîäëîæêó, ñëóæèò òîò ôàêò, ÷òî
çàâèñèìîñòü (3) ïîëó÷àëàñü òàêæå ïðè ðàñïîëîæå-
íèè êîíòàêòîâ íà ïîëóèçîëèðóþùåé ïîäëîæêå è â
îòñóòñòâèå ïðîâîäÿùåãî êàíàëà � ñ òîé ëèøü ðàçíè-
öåé, ÷òî ëèíåéíàÿ ñâÿçü ìåæäó òîêîì è íàïðÿæåíèåì
íà êîíòàêòàõ èìååò ìåñòî ïðè ðàññòîÿíèÿõ ïîðÿäêà
50 ìêì. Ñ ýòîé öåëüþ èçãîòàâëèâàëàñü ñòðóêòóðà, òî-
ïîëîãèÿ êîòîðîé ïðèâåäåíà íà ðèñ. 2.
Ñíà÷àëà èçìåðÿëèñü òîêè êàíàëà íà êîíòàêòàõ
"ñòîê-èñòîê", ñîåäèíåííûõ ñ êîíòàêòíûìè ïëîùàä-
êàìè ÏÒ. Çàòåì ïðîâîäèëèñü èçìåðåíèÿ íà èçîëèðî-
âàííûõ ïëîùàäêàõ àíàëîãè÷íîé ãåîìåòðèè, ðàñïîëî-
æåííûõ íà òîì æå êðèñòàëëå, íå ñâÿçàííûõ ñ êîíòàê-
òàìè ê îáëàñòÿì ñòîêà è èñòîêà. Ïóòåì âû÷èòàíèÿ ýòèõ
òîêîâ äëÿ êàæäîãî çíà÷åíèÿ íàïðÿæåíèÿ áûëî ïîëó-
÷åíî èñòèííîå çíà÷åíèå âêëàäà òîêà, íàâåäåííîãî ðà-
äèàöèåé â ïîäëîæêå ÏÒ, íà îáùèé òîê êàíàëà.
Ñîîòíîøåíèå (3) áûëî ñïðàâåäëèâî ïðè ìîùíîñ-
òÿõ ïîãëîùåííîé äîçû ïðèìåðíî äî 108 ðàä, ïîñëå
÷åãî òîê Is ñòàíîâèëñÿ ïðîïîðöèîíàëüíûì Pν
1/2, ÷òî,
ïî âñåé âèäèìîñòè, ñâÿçàíî ñ íåëèíåéíîé çàâèñèìî-
ñòüþ ñêîðîñòè ðåêîìáèíàöèè îò ãåíåðèðîâàííîé êîí-
öåíòðàöèè ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð.
Èç àíàëèçà ëèòåðàòóðû èçâåñòíî, ÷òî ïðè÷èíîé
óìåíüøåíèÿ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè àðñåíèäãàëëè-
åâûõ íîðìàëüíî çàêðûòûõ ÏÒ ÿâëÿþòñÿ ñëåäóþùèå
ôèçè÷åñêèå ïðîöåññû:
� ãåíåðàöèÿ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð â ÏÒ è
âîçíèêíîâåíèå ïåðâè÷íîãî òîêà â öåïè çàòâîðà âñëåä-
ñòâèå ñîáèðàíèÿ íîñèòåëåé;
� ãåíåðàöèÿ íîñèòåëåé â ïîëóèçîëèðóþùåé ïîä-
ëîæêå, ÷òî ïðèâîäèò ê óâåëè÷åíèþ åå ïðîâîäèìîñòè
è ïîÿâëåíèþ øóíòèðóþùåãî òîêà ìåæäó êîíòàêòàìè
ïðè íàëè÷èè ðàçíîñòè ïîòåíöèàëîâ;
� ìîäóëÿöèÿ òîëùèíû êàíàëà, îáóñëîâëåííàÿ ðàç-
äåëåíèåì íîñèòåëåé íà n�ν-ïåðåõîäå "ïëåíêà�ïîä-
ëîæêà" è çàõâàòîì äûðîê íà ãëóáîêèå ëîâóøêè â ïîä-
ëîæêå.
Ïîñêîëüêó ìû èñêëþ÷èëè äåéñòâèå ãëóáîêèõ ëî-
âóøåê ââåäåíèåì áóôåðíîãî ñëîÿ, òî ñïåöèôèêà
çàðÿä ýëåêòðîíà;
êîýôôèöèåíò, õàðàêòåðèçóþùèé ñêîðîñòü ãåíå-
ðàöèè ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð (äëÿ GaAs
q0=6,63·1013 íîñèòåëü/(ñì3ðàä));
ìîùíîñòü ïîãëîùåííîé äîçû;
ïëîùàäü ïåðåõîäà;
ýôôåêòèâíàÿ äëèíà ñîáèðàíèÿ.
ãäå e �
q0 �
Pν �
A �
Lñ �
êîýôôèöèåíò, çàâèñÿùèé îò ãåîìåòðèè êîíòàê-
òîâ;
øèðèíà êîíòàêòîâ;
íàïðÿæåíèå íà ñòîêå.
ãäå k �
W �
Vd �
Ðèñ. 1. Çàâèñèìîñòü òîêà, âîçíèêàþùåãî â ïîëóèçî-
ëèðóþùåé ïîäëîæêå, îò ìîùíîñòè ïîãëîùåííîé äîçû
106 107 108 109 Pν , ðàä 0
10
100
Is, ìÀ
Ðèñ. 2. Òîïîëîãèÿ îòäåëüíûõ è ñîåäèíåííûõ ñî
ñòîêîì è èñòîêîì êîíòàêòíûõïëîùàäîê ÏÒ
(ðàçìåðû â ìêì)
80
80
50
3
10
øèðèíà ÎÏÇ;
ñîîòâåòñòâåííî äèôôóçèîííàÿ äëèíà äûðîê
è ýëåêòðîíîâ.
ãäå dî �
Lp è Ln �
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹ 4�5
15
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÀß ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
âîçäåéñòâèÿ γ-èçëó÷åíèÿ íà òîíêîïëåíî÷íûå ïîëåâûå
òðàíçèñòîðû â íàøèõ ýêñïåðèìåíòàõ çàêëþ÷àåòñÿ â
ïîÿâëåíèè âòîðè÷íûõ òîêîâ ÷åðåç ïîäëîæêó, ñðàâ-
íèìûõ ñ òîêàìè â ïëåíêå.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ãàäæèåâ Ý. Ì., Èñàåâ À. À., Êàñèìîâ Ô. Ä. Âëèÿíèå
èîíèçèðóþùåãî èçëó÷åíèÿ íà ïàðàìåòðû àðñåíèäãàë-
ëèåâûõ ïîëåâûõ òðàíçèñòîðîâ // Òð. ìåæäóíàð. íàó÷.-
ïðàêò. êîíô. �Ñîâðåìåííûå èíôîðìàöèîííûå è ýëåêò-
ðîííûå òåõíîëîãèè�.� Îäåññà, 2001.� Ñ. 302.
2. Äæàôàðîâà Ý. Ñ., Òàïäûãîâ Ý. Ñ. Âëèÿíèå γ-èçëó-
÷åíèÿ íà êðåìíèåâûå p�n-ñòðóêòóðû // Fizika (ÍÀÍ
Àçåðáàéäæàíà).� 1999.� Ò. 5, ¹ 1.� Ñ. 7�9.
3. Zuleeg R., Lehovec K. Radiation effects in GaAs
junction field-effect transistors // IEEE Trans. Nucl Sci.�
1980.� Vol. NS-27, N 5.� P. 1343�1354.
4. Ñå÷åíîâ Ä.À. Íåòåðìè÷åñêàÿ àêòèâàöèÿ ïðîöåññîâ
ëåãèðîâàíèÿ è ôîðìèðîâàíèÿ òîíêèõ ïëåíîê â òåõíîëî-
ãèè ÈÌÑ // Òåç. äîêë. Âñåðîc. ÍÒÊ �Àêòóàëüíûå ïðî-
áëåìû òâåðäîòåëüíîé ýëåêòðîíèêè è ìèêðîýëåêòðîíè-
êè�. ×. 2.� Òàãàíðîã, 1995.� Ñ. 26.
5. Zuleeg R., Notthoff J. K., Troeger G. L. Channel and
substrate current in GaAs FET�s due to ionizing radiation
// Ibid.� 1983.� Vol. NS-30, N 6.� P. 4151�4156.
6. Ãóñåéíîâ ß. Þ., Êàñèìîâ Ô. Ä., Êåìåð÷åâ Ã. Ï. Âëè-
ÿíèå ïîòåíöèàëüíîãî áàðüåðà íà ãðàíèöå ðàçäåëà ïîëó-
èçîëèðóþùåé àðñåíèäãàëëèåâîé ïîäëîæêè ñ ýïèòàêñè-
àëüíîé ïëåíêîé íà òîêîïåðåíîñ â íåé // Fizika (ÍÀÍ Àçåð-
áàéäæàíà).� 1999.� Ò. 5, ¹ 3.� Ñ. 20�22.
7. Êàñèìîâ Ô. Ä., Ãóñåéíîâ ß. Þ., Êåìåð÷åâ Ã. Ï. Ðàñ-
÷åò òîëùèíû ïåðåõîäíîãî ñëîÿ â àðñåíèäãàëëèåâûõ
n�ν-ñòðóêòóðàõ // Èçâ. âóçîâ. Ýëåêòðîíèêà.� 2000.�
¹ 3.� Ñ. 100�101.
8. Newman D. S, Ferry D. K., Sites J. R. Measurement
and simulation of GaAs FET�s under electron-beam irradia-
tion // IEEE Trans. Electron Devices.� 1983.�Vol. ED-30,
N 7.� P. 849�855.
9. Long S. I., Lee F. S., Pellegrini P. Pulsed ionizing radia-
tion recovery characteristics of MSI GaAs integrated cir-
cuits // IEEE Trans. Electron Devices Lett.� 1981.�
Vol. EDI-2, N 7.� P. 173�176.
10. Itoh T., Yanai H. Interface effects on drain current
instability in GaAs MESFET�s with buffer layer // Jap. J.
Appl. Phys.� 1980.� Vol. 19, Suppl. 19-1.� P. 351�355.
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â
ï
îð
òô
åë
å
ð
åäàê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ð
åäàê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ð
åäàê
ö
è
è
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèèâ
ï
îð
òô
åë
å
ð
åä
àê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ð
åä
àê
ö
è
è
â
ï
îð
òô
åë
å
ð
åä
àê
ö
è
è
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
Îñîáåííîñòè ïîñòðîåíèÿ áîðòîâûõ òåëåìåòðè÷åñêèõ ñèñòåì ìàëûõ ñïóòíèêîâ. Ê. Â. Êîëåñ-
íèê, Â. Â. Ïèñêîðæ (Óêðàèíà, ã. Õàðüêîâ)
Íåêîòîðûå îñîáåííîñòè ïðîåêòèðîâàíèÿ âûñîêîâîëüòíûõ ÊÌÎÏ ÁÈÑ. Â. Ã. Âåðáèöêèé,
Â. È. Çîëîòàðåâñêèé, Þ. Å. Íèêîëàåíêî, Ë. È. Ñàìîòîâêà, Å. Ñ. Òîâìà÷ (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Ñèëîâàÿ ìèêðîñõåìà äëÿ ýíåðãîýêîíîìè÷íûõ áëîêîâ óïðàâëåíèÿ ãàçîðàçðÿäíûìè èñòî÷íèêà-
ìè ñâåòà. Ã. È. Ãàâðèëþê, Â. Â. Ñåâàñòüÿíîâ, Ë. Ì. Áîíäàð÷óê, Â. Â. ×å÷åëü (Óêðàèíà,
ã. Âèííèöà)
Êîíòðîëåïðèãîäíàÿ ñõåìà äâîè÷íîãî ñóììàòîðà íà îñíîâå 16-ðàçðÿäíîé ãðóïïû ñåê-
öèé. À. È. Òèìîøêèí (Óêðàèíà, ã. Äíåïðîïåòðîâñê)
Àíèçîòðîïíûé òåðìîýëåêòðè÷åñêèé êîìïàðàòîð. À. À. Àùåóëîâ, È. Â. Ãóöóë (Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû)
Ðàñ÷åò îïòèìàëüíûõ ðàçìåðîâ êâàíòîâûõ òî÷åê InSb â ìàòðèöå GaSb äëÿ òåðìîôîòîâîëüòàè÷åñ-
êèõ ïðåîáðàçîâàòåëåé. Å. Â. Àíäðîíîâà, Å. À. Áàãàíîâ, À. Þ. Äàëå÷èí, À. Þ. Êàðìàííûé
(Óêðàèíà, ã. Õåðñîí)
Ìåòîäèêà îïðåäåëåíèÿ äèíàìè÷åñêîãî äèàïàçîíà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ôîòîïðèåìíèêîâ. È. Â.
Äîêòîðîâè÷, Â. Ê. Áóòåíêî, Â. Í. Ãîäîâàíþê, Â. Ã. Þðüåâ (Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû)
Ñïåêòðàëüíàÿ ôîòî÷óâñòâèòåëüíîñòü Ni�Si:Au-ïîâåðõíîñòíî-áàðüåðíûõ ñòðóêòóð ñ èíæåêöè-
îííûì óñèëåíèåì. Ø. Ä. Êóðìàøåâ, È. Ì. Âèêóëèí, Ñ. Â. Ëåíêîâ, Â. Ã. Ñèäîðåö (Óêðàèíà,
ã. Îäåññà)
Ïîëó÷åíèå êðåìíèÿ ýëåêòðîäíûì âîññòàíîâëåíèåì ïðîäóêòîâ ïèðîëèçà ðèñîâîé ëóçãè. È. Å.
Ìàðîí÷óê, Á. Ï. Ìàñåíêî, Ì. Â. Ïîâñòÿíîé, Â. À. Çàâàäñêèé, Î. Â. Ñîëîâüåâ (Óêðàèíà,
ãã. Õåðñîí, Îäåññà)
Îïòèìàëüíûå ñõåìû ëàçåðíûõ ôîòîèîíèçàöèîííûõ òåõíîëîãèé êîíòðîëÿ è î÷èñòêè âåùåñòâà
íà àòîìíîì óðîâíå. Ñ. Â. Àìáðîñîâ (Óêðàèíà, ã. Îäåññà)
Âëèÿíèå îáëó÷åíèÿ áûñòðûìè íåéòðîíàìè íà ýïèòàêñèàëüíûé àðñåíèä ãàëëèÿ. Â. À. Çàâàä-
ñêèé, Ñ. Â. Ëåíêîâ, Ä. Â. Ëóêîìñêèé, Â. À. Ìîêðèöêèé (Óêðàèíà, ãã. Îäåññà, Êèåâ)
Ê âîïðîñó î ìàòåìàòè÷åñêîì îïèñàíèè êèíåòèêè äåãðàäàöèè â êåðàìè÷åñêèõ òåðìîðåçèñòîðàõ ñ
îòðèöàòåëüíûì ÒÊÑ. Â. À. Áàëèöêàÿ, Í. Ì. Âàêèâ, Î. È. Øïîòþê (Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ)
Ìèêðîíåîäíîðîäíîñòè ïîâåðõíîñòè èîííîëåãèðîâàííîãî ñëîÿ êðåìíèÿ.
È. Ì. Âèêóëèí, Å. Ô. Õðàìîâ, Ã. Â. Ïðîõîðîâ, À. Ê. Ãíàï (Óêðàèíà,
ãã. Îäåññà, Õàðüêîâ)
Óñòðîéñòâî äëÿ ïðîâåäåíèÿ ýëåêòðîëèçà èìïóëüñíûì òîêîì. Ë. À. Àëü-
áîòà, È. Ì. Ðàðåíêî, À. Ã. Øâåö, È. Ë. Àëüáîòà (Óêðàèíà, ã. ×åð-
íîâöû)
Ø
Ø
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2002, ¹
16
ÝÍÅÐÃÅÒÈ×ÅÑÊÀß ÌÈÊÐÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
|
| id | oai:tkea.com.ua:article-1344 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| issn | 3083-6549 |
| keywords_txt_mv | |
| language | yo |
| last_indexed | 2026-08-20T01:00:43Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/42/8fb048be87402b3d36771f2ab91a8042.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-13442026-08-19T09:54:56Z Effect of γ-radiation on current transport in a gallium arsenide field-effect transistor Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе Kasimov, F. D. Liutfalibekova, A. E. gallium arsenide field-effect transistor γ-radiation current transport substrate secondary currents арсенид галлия полевой транзистор γ-излучение токоперенос вторичные токи подложки Through modeling and experimental studies, it is shown that a multi-order increase in the channel current of a gallium arsenide field-effect transistor under the influence of γ-radiation is caused by the appearance of secondary currents in the substrate that are comparable to the currents in the film. Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2002): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 13-15 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 13-15 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13/1244 Copyright (c) 2002 Kasimov F. D., Liutfalibekova A. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия полевой транзистор γ-излучение токоперенос вторичные токи подложки Kasimov, F. D. Liutfalibekova, A. E. Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title_alt | Effect of γ-radiation on current transport in a gallium arsenide field-effect transistor |
| title_full | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title_fullStr | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title_full_unstemmed | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title_short | Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| title_sort | влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе |
| topic | арсенид галлия полевой транзистор γ-излучение токоперенос вторичные токи подложки |
| topic_facet | gallium arsenide field-effect transistor γ-radiation current transport substrate secondary currents арсенид галлия полевой транзистор γ-излучение токоперенос вторичные токи подложки |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13 |
| work_keys_str_mv | AT kasimovfd effectofgradiationoncurrenttransportinagalliumarsenidefieldeffecttransistor AT liutfalibekovaae effectofgradiationoncurrenttransportinagalliumarsenidefieldeffecttransistor AT kasimovfd vliâniegizlučeniânatokoperenosvarsenidgallievompolevomtranzistore AT liutfalibekovaae vliâniegizlučeniânatokoperenosvarsenidgallievompolevomtranzistore |