Зображення обкладинки

Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

Through modeling and experimental studies, it is shown that a multi-order increase in the channel current of a gallium arsenide field-effect transistor under the influence of γ-radiation is caused by the appearance of secondary currents in the substrate that are comparable to the currents in the fil...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:	2002
Випуск:	4–5
Сторінки:	13-15
ISSN:	3083-6549
Автори та афіліації:	F. D. Kasimov — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan A. E. Liutfalibekova — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan
Автори:	Kasimov, F. D., Liutfalibekova, A. E.
Формат:	Стаття
Мова:	yo
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:	арсенид галлия полевой транзистор γ-излучение токоперенос вторичные токи подложки
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл:

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2002)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)

Нелинейные процессы в твердотельной плазме в полевом транзисторе
за авторством: Булах, А.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Кристаллизационный термометр для сверхнизких температур с охлаждаемым генератором на полевом транзисторе
за авторством: Майданов, В.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Производство оптоволоконных материалов и полупроводниковых соединений на Украине
за авторством: Trubitsyn, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2002)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)

Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Terletskaya, L. L., та інші
Опубліковано: (2003)

У истоков сверхмалошумящей техники СВЧ
за авторством: Chmil, V. M.
Опубліковано: (2003)

КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2012)

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)

Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Abyzov, A. S., та інші
Опубліковано: (2004)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Дозиметры энергетической освещенности ультрафиолетового излучения типа "Тензор"
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2006)

Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)

Параметрическое черенковское излучение (развитие идеи)
за авторством: Буц, В.А.
Опубліковано: (2004)

Diffraction on a polycrystal for investigations and diagnostics of X-ray radiation of relativistic particles in a forward direction
за авторством: Shchagin, A.V.
Опубліковано: (2004)

Радиально-двухслойный квазиоптический диэлектрический резонатор для диэлектрометрии
за авторством: Прокопенко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Параметрическая неустойчивость ансамбля линейных электронных осцилляторов в фазоинверсном электромагнитном поле
за авторством: Лукин, К.А.
Опубліковано: (2004)

Резонансная плоская решетка резонансных магнитодиэлектрических сфер
за авторством: Козарь, А.И.
Опубліковано: (2004)

Искусственный диэлектрик, образованный сферическими диэлектрическими рассеивателями
за авторством: Брызгалов, Г.А.
Опубліковано: (2004)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Радиометр ультрафиолетового излучения "Тензор-31"
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2006)