Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

• Veröffentlicht in: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Datum: 2002
• Heft: 4–5
• Сторінки: 13-15
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: F. D. Kasimov — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan; A. E. Liutfalibekova — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan
• Hauptverfasser: Kasimov, F. D., Liutfalibekova, A. E.
• Format: Artikel
• Sprache: yo
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Schlagworte: арсенид галлия; полевой транзистор; γ-излучение; токоперенос; вторичные токи подложки
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Through modeling and experimental studies, it is shown that a multi-order increase in the channel current of a gallium arsenide field-effect transistor under the influence of γ-radiation is caused by the appearance of secondary currents in the substrate that are comparable to the currents in the fil...