Зображення обкладинки

Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them.

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2002
Випуск:4–5
Сторінки:40-42
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • Z. A. Iskender-zade — Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan
  • F. D. Kasimov — Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan
  • S. A. Ismayilova — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan
Автори: Iskender-zade, Z. A., Kasimov, F. D., Ismayilova, S. A.
Формат: Стаття
Мова:yo
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:
косвенный лазерный нагрев
поликристаллический кремний
рекристаллизация
монокристаллические слои
активные элементы
микросхемы
датчики Холла
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them.
ISSN:3083-6549

Схожі ресурси