Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2002
• Випуск: 4–5
• Сторінки: 40-42
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Z. A. Iskender-zade — Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan; F. D. Kasimov — Azerbaijan Technical University, Baku, Azerbaijan; S. A. Ismayilova — Special Design Bureau of Space Instrumentation, Baku, Azerbaijan
• Автори: Iskender-zade, Z. A., Kasimov, F. D., Ismayilova, S. A.
• Формат: Стаття
• Мова: yo
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
• Теми: косвенный лазерный нагрев; поликристаллический кремний; рекристаллизация; монокристаллические слои; активные элементы; микросхемы; датчики Холла
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.40
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper shows that laser recrystallization of polycrystalline silicon films makes it possible to obtain high-quality single-crystal layers, which allows manufacturing functional integrated circuit elements, in particular Hall sensors, within them.