Использование керамики на основе твердых растворов (Ni, Co, Mn, Cu)3O4 для толстопленочных терморезисторов

Using the example of the Co-enriched composition Cu₀.₁Ni₀.₁Mn₁.₂Co₁.₆O₄, the possibility of using semiconductor spinel ceramics of the NiMn₂O₄–CuMn₂O₄–MnCo₂O₄ system for obtaining highly stable thick-film thermistors with a high thermal time constant value is demonstrated. The technological process...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Технологія та конструювання в електронній апаратурі
Дата:2002
Випуск:4–5
Сторінки:55-57
ISSN:3083-6549
Автори та афіліації:
  • O. I. Shpotyuk — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
  • I. V. Hadzaman — НПП «Карат», Львов, Украина
  • R. V. Okhrymovych — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
  • M. M. Vakiv — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
  • S. I. Osechkin — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
  • V. M. Tsmots — Drohobych State Pedagogical University named after Ivan Franko, Ukraine
  • I. M. Brunets — SPA «Karat», Lviv, Ukraine
Автори: Shpotyuk, O. I., Hadzaman, I. V., Okhrymovych, R. V., Vakiv, M. M., Osechkin, S. I., Tsmots, V. M., Brunets, I. M.
Формат: Стаття
Мова:yo
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2002
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.55
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment
Завантажити файл: Pdf

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:Using the example of the Co-enriched composition Cu₀.₁Ni₀.₁Mn₁.₂Co₁.₆O₄, the possibility of using semiconductor spinel ceramics of the NiMn₂O₄–CuMn₂O₄–MnCo₂O₄ system for obtaining highly stable thick-film thermistors with a high thermal time constant value is demonstrated. The technological process for obtaining thick films has been developed, and their phase composition, electrical properties, and stability have been studied. The obtained films are characterized by good structural morphology and high density. The effect of layer thickness on the stability of electrical parameters has been investigated.
ISSN:3083-6549